КОТЛЯРЕ́ВСЬКИЙ Марко Борисович (13. 12. 1941, ст. Радянська, Пн. Осетія, РФ) – фахівець у галузі фізичної оптоелектроніки. Д-р фіз.-мат. н. (1982), проф. (1983). Засл. діяч н. і т. України (2004). Закін. Томський ін-т автоматиз. систем упр. (РФ, 1963), де відтоді й пра­­цював. 1973–84 – засн. і зав. каф. біофізики та мед. кібернетики Томського мед. ін-ту; від 1984 – у Бердян. пед. ун-ті (Запоріз. обл.): зав., від 1993 – проф. каф. фізики та інформатики; водночас від 1993 – засн. і ректор Ака­­демії упр. та інформ. технологій «Азов. регіон. ін-т упр.» (Бердянськ). Розробив надчутливі детектори яскравості й зображення для систем дистанц. зон­­дування.

Пр.: Проблемы создания светодиодов на основе широкозонных полупроводников // Вест. АН СССР. Сер. физ. 1985. Вып. 10; Физика полупроводников АІІВVI. Москва, 1986; Твердофазное электронное выпаление ионно-имплантированных монокристаллов селенида цинка // НМ. 1991. Вып. 11; Рентгеновская фотоэлектронная спек­­троскопия пленок нитрида галлия, по­лученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии // ФТП. 2007. Т. 41, вып. 5; Compensation mechanism for hole conduction in ZnO:N films // Inorganic Materials. 2009. Vol. 45, № 4; p–n-Junction in ZnO implanted with gro­up V ions // Там само. 2010. Vol. 46, № 9 (усі – спів­авт.).

І. Т. Богданов