Інтегральна схема - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Інтегральна схема

ІНТЕГРА́ЛЬНА СХЕ́МА – мікромініатюрний електронний пристрій, усі елементи якого або їхня частина конструктивно пов’язані й електрично з’єднані між собою на спільній платівці. Є функціон. вузлом електрон. апаратури. Ін. назви: чіп (англ. chip – тонка пластинка), мікрочіп. Розрізняють І. с. напівпровідник., плівкові й гібридні. Напівпровідникові І. с. виготовляють з особливо чистих кристалів (зазвичай кремнію або германію), частини яких стають функціон. елементами складної схеми: вони генерують і підсилюють сигнали, зменшують частоту електрич. коливань тощо. Плівкові І. с. створюють шляхом осаджування на нагріту керамічну або напівпровідник. платівку тонкого (до 1 мкм) чи товстого (понад 1 мкм) шару алюмінію, золота, титану, танталу або ін. матеріалу. Кожен такий шар має властивості певного пасив. елемента: мікрорезистора, мікроконденсатора, провідника електрич. струму та ін. У гібрид. I. с., крім пасив. плівкових, є активні елементи – безкорпусні напівпровідник. діоди й транзистори. І. с. застосовують для мікромініатюризації вузлів ЕОМ, контрольно-вимірюв. і радіоапаратури тощо. І. с. розробили 1958 незалежно один від одного амер. інж. Дж. Кілбі (Нобелів. премія, 2000) та Р. Нойс (співзасн. корпорації «Intel», 1968), об’єднавши на одному моноліт. кристалі з напівпровідник. матеріалу транзистори, резистори, конденсатори тощо. І. с. практично відразу почали використовувати у вироб-ві комп’ютерів і калькуляторів. У СРСР першу І. с. створ. 1961 у Таганроз. радіотех. ін-ті (РФ) на основі амер. зразків для використання у системах наведення баліст. ракет. 1962 в СРСР прийнято постанову про розвиток мікроелектрон. пром-сті та створення у м. Зеленоград побл. Москви НДІ молекуляр. електроніки з філіями у Києві, Мінську, Ризі, Вільнюсі, Тбілісі та ін. містах. Того ж року у Києві засн. КБ-3 (нині ТОВ «Мікроприлад»), де створ. серію І. с. «Кобра» (у масовому вироб-ві від 1968), перший в СРСР і Європі мікрокалькулятор на 4-х великих І. с. (1970). Того ж року створ. НВО «Кристал» – гол. орг-цію Мін-ва електрон. пром-сті СРСР з вироб-ва І. с., – де, зокрема, уперше в Європі розпочато масове вироб-во великих І. с. У цьому ж напрямі працювали згодом створ. об’єднання «Родон» (Івано-Франківськ), «Гравітон» (Чернівці), «Гамма» (Запоріжжя), «Дніпро» (Херсон), «Жовтень» (Вінниця). Наук. підґрунтя технології І. с. забезпечували вчені Ін-тів фізики напівпровідників та кібернетики АН УРСР (обидва – Київ), Київ. ун-ту і політех. ін-ту та ін., зокрема розроблено спеціаліз. ЕОМ «Киев 67» та «Киев 70» для автоматизації проектування й виготовлення великих І. с. за допомогою еліон. технології (В. Деркач та ін.). Однак уже наприкінці 1980-х рр. вітчизн. технології вироб-ва І. с. значно відставали від світових, а після розпаду СРСР та внаслідок екон. кризи у пострадян. країнах ця галузь зазнала краху. Див. також Електронне приладобудування, Мікроелектроніка.

Літ.: Малиновський Б. М. Мікроелектроніка в Україні: Минуле без майбутнього? // Малиновський Б. М. Відоме і невідоме в історії інформаційних технологій в Україні. К., 2004; Прищепа М. М., Погребняк В. П. Мікроелектроніка: У 3-х ч. Ч. 2: Елементи мікросхемотехніки. К., 2006.

О. В. Савченко, С. О. Плахотнюк

Стаття оновлена: 2011