Кузнецов Геннадій Васильович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Кузнецов Геннадій Васильович

КУЗНЕЦО́В Геннадій Васильович (20. 06. 1945, станиця Успенська Краснодар. краю, РФ) – фізик. Д-р фіз.-мат. н. (2003). Закін. Київ. політех. ін-т (1968). Працював у НДІ «Сатурн» (Київ, 1969–76); від 1976 – у Київ. ун-ті: від 2002 – зав. н.-д. лаб. фізики і техніки напівпровідників, водночас від 2005 – проф. каф. напівпровідник. електроніки. Досліджує кон­тактні явища в структурах метал–напівпровідник та метал–діелектрик–напівпровідник; фіз.-хім. властивості оксид. напів- і надпровідників; розробляє прилади на основі поруватих і наноструктуров. матеріалів.

Пр.: Superconducting YBaCuO thin films on silicon with barium silicate buf­fer layers // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 1995. Vol. 5, № 2 (спів­авт.); About the gas sensitivity of con­tacts metal–silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia environment // Sensors and Actuators. 2000. Vol. 62 (спів­авт.); Прохождение носителей заряда в контакте металл–сверхпроводящий полупроводник // ФТП. 2002. Т. 36, № 9; Photolumines­cen­ce properties of silica aerogel/porous silicon nanocomposites // J. Physics D. 2010. Vol. 43 (спів­авт.); Influence of pal­ladium particles impregnation on hydro­gen behavior in meso-porous silicon // J. Alloys and Compounds. 2010. Vol. 492 (спів­авт.).

В. А. Скришевський

Стаття оновлена: 2014