Кравченко Олександр Пилипович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Кравченко Олександр Пилипович

КРА́ВЧЕНКО Олександр Пилипович (18. 04. 1930, Запоріжжя – 25. 02. 2008, м. Новосибірськ, РФ) – фізик. Д-р тех. н. (1968), проф. (1988). Закін. Микол. пед. ін-т (1953). Працював у Львів. політех. ін-ті (1956–59); зав. каф. фізики Новосибір. електротех. ін-ту (1959–63); від 1963 – в Ін-ті фізики напів­­провідників Сибір. відділ. РАН (Но­­восибірськ): зав. лаб. кінет. явищ у напівпровідниках, 1972–75 – заст. дир. з наук. роботи, від 1995 – гол. н. с.; водночас викла­дав на каф. фізики напівпровідників Новосибір. ун-ту; 1983–88 – в Ін-ті радіотех. матеріалів НВО «Меридіан» ім. С. Корольо­ва (Київ): нач. лаб., заст. дир. з наук. роботи; 1988–95 – проф. каф. мікроелектроніки Київ. політех. ін-ту. Наук. дослідж.: напів­провідник. сполуки, фізика твер­дого тіла. Зробив вагомий внесок у розвиток фізики тонких плі­вок, зокрема виявив розмірні та нелінійні ефекти у них, анізотропію кінет. процесів. За безпосеред. участі й під кер-вом К. розроблено оптично й електрич­но керовані транспаранти, багатоелементні матриці модуляторів світла та світлодіодів.

Пр.: Осциллирующая поверхностная фотоэдс на горячих электронах // Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34, № 3 (спів­авт.); Фотоэдс, индуцированная импульсом фотона при оптических переходах между уровнями Ландау // Там само. 1983. Т. 38, № 7 (спів­авт.); Физические основы функциональной элек­троники: Учеб. пособ. Новосибирск, 2000; Электронные процессы в твер­­дотельных системах пониженной размерности. Новосибирск, 2000 (спів­авт.); Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n–CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. 2001. Т. 35, вып. 9 (спів­авт.); История и методология науки и техники: Учеб. пособ. Новосибирск, 2005.

О. В. Каламейцев

Стаття оновлена: 2014