Вул Бенціон Мойсейович
ВУЛ Бенціон Мойсейович (09(22). 05. 1903, м. Біла Церква, нині Київ. обл. — 09. 04. 1985, Москва) — фізик. Академік АН СРСР (1972). Сталін. (1946) та Ленін. (1964) премії. Закін. Київ. політех. інститут (1928). Від 1932 працював у Фіз. інституті АН СРСР (Москва): від 1933 — засн. і кер. лаб. фізики діелектриків. Досліджував електр. міцність діелектриків, відкрив нову форму пробою (послідовного) діелектрика; вивчав електр. розряди у газах в однорід. та неоднорід. полях при різних тисках; тверді діелектрики з високою діелектр. проникністю; явища у діелектриках при сильному гамма-опроміненні. Встановив осн. закономірності зміни електропровідності діелектриків під дією гамма-випромінення. Відкриття та дослідж. В. сегнетоелектр. якостей титанату барію заклали основу створення нового класу діелектриків — сегнетоелектриків з великим пʼєзомодулем. У результаті дослідж. фізики напівпровідників уперше в СРСР вирощено монокристали германію та досліджено нерівноважні електронні процеси у ньому. Під керівництвом В. у СРСР розпочато розробку перших напівпровідник. діодів, транзисторів і соняч. елементів. Подальші дослідж. у галузі фотоелектр. явищ у германії та кремнії призвели до створення кремнієвих фотоелементів рад. соняч. батарей. Створив дифузний транзистор і запропонував p–n-переходи у напівпровідниках використовувати як нелінійні конденсатори. З участю В. створ. перші в СРСР напівпровідник. квантові генератори.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Последовательный пробой твердых диэлектриков // ЖТФ. 1932. Т. 2, вып. 3–4; Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью // Электричество. 1946. № 3 (співавтор); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках // ЖТФ. 1955. Вып. 1; Электрическая прочность полупроводников // ФТП. 1967. Т. 1, вып. 11; Физика диэлектриков и полупроводников: Избр. тр. Москва, 1988.
Рекомендована література
Завантажити статтю
Людина 
