Курбанов Курбан Рамазанович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Курбанов Курбан Рамазанович

КУРБА́НОВ Курбан Рамазанович (22. 02. 1940, с. Хутхул, нині Дагестан, РФ) – фізик. Канд. хім. (1973), д-р тех. (1993) н., проф. (2004). Держ. премія УРСР в галузі н. і т. (1991). Закін. Пн.-Осетин. пед. ін-т (м. Орджонікідзе, нині Владикавказ, РФ, 1965). Учителював. 1973–97 працював на Світловод. з-ді чистих металів (Кіровогр. обл.): від 1977 – нач. дослідниц. лаб. монокристалів напівпровідник. матеріалів А2В6; одночасно 1994–2004 – у Кременчуц. ін-ті економіки та нових технологій (Полтав. обл.): від 1997 – зав. каф. екології, водночас від 2003 – проректор з метод. роботи; від 2004 – заст. дир. з наук. роботи і зав. каф. маркетингу Кременчуц. ін-ту Дніпроп. ун-ту економіки та пра­ва. Досліджує порушені шари напівпровідник. матеріалів; роз­робляє напівпровідник. сполуки А2В6, А4В6 та тверді розчини на їх основі. Запропонував технології отримання монокристал. пластин напівпровідник. твердих розчинів телуриду, кадмію і ртуті, зокрема для виготовлення підкладок для вирощування епітаксіал. шарів.

Пр.: Строение нарушенного слоя в кристаллах Ge, Si и GaAs // Изв. АН СССР. Неорган. мат. 1972. Т. 8, № 2; Многоэлементные фоторезисторы из Hg1х-sCdxTe // Вопр. оборон. техники. Сер. 11. 1977. Вып. 51; Поверхность CdхНg1-хТе по данным рентгеновской фо­тоэлектронной спектроскопии // Пись­ма в ЖТФ. 1980. Т. 6, вып. 17; Тем­пе­ратур­ная зависимость скорости ультра­звука в Cd0,3Hg0,7 Те // ФТП. 1987. Т. 21, вып. 6; Comparative study of bulk Hg0,8Cd0,2Те grown from initial elements of different pu­rity // Proceedings of SPIE. 1998. Vol. 3860; Получение и свойства совершенных мо­нокристаллов n-Hg0,8Cd0,2Te, легиро­ван­ных индием // Конденсирован. среды и межфаз. границы. 1999. Т. 1, № 3/4 (усі – спів­авт.).

Ю. М. Гаврилюк

Стаття оновлена: 2016