КО́РСУНСЬКА Надія Овсіївна (10. 09. 1939, Київ) – фізик. Д-р фіз.-мат. н. (1986), проф. (1996). Держ. пре­­мія УРСР у галузі н. і т. (1983). Закін. Чернів. ун-т (1961). Відтоді працює в Ін-ті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1989 – пров. н. с. відділу фотоелектрич. явищ у напівпровідни­­ках. Наук. дослідж.: нерівнова­­жні електронні процеси, реакції дефектів та дифузія в об’єм. і нанорозмір. напівпровідниках А₂В₆ і Si. Встановила механізми процесів перетворення дефектів ґратки у напівпровідниках А₂В₆ під дією випромінювання та ультразвуку.

Пр.: Фотохимические реакции в по­­лупроводниках А₂В₆ // Физика со­еди­нений А₂В₆. Москва, 1986; Ultrasound stimulated defect reactions in semi­­con­­ductors // Defect Interaction and Clus­­tering in Semiconductors. Zürich, 2002; Mobile point defects in wide-band gap II–VI semiconductors as a factor of their instability // New Developments in Con­­densed Matter Physics. New York, 2006; Structure and optical properties of mag­­netron-sputtered SiOx layers with silicon nanoparticles // Defect and Diffusion Fo­­rum. Zürich, 2010. Vol. 303–304 (усі – спів­авт.).

Л. В. Борковська