Лашкарьов Вадим Євгенович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Лашкарьов Вадим  Євгенович

ЛАШКАРЬО́В Вадим Євгенович (24. 09(07. 10). 1903, Київ – 01. 12. 1974, там само) – фізик. Батько Г. Лашкарьова. Д-р фіз.-мат. н. (1935, без захисту дис.), проф. (1949), акад. АН УРСР (1945). Держ. премія УРСР у галузі н. і т. (1981, посмертно). Закін. Київ. ІНО (1924). У 1925–30 працював у Київ. політех. ін-ті та одночасно на Н.-д. каф. фізики АН УРСР; 1930–33 – зав. відділу рентґенів. і електрон. оптики, 1933–35 – зав. лаб. ди­фракції електронів Ленінгр. фіз.-тех. ін-ту (нині С.-Пе­тербург); 1935–39 – зав. каф. фізики Архангел. мед. ін-ту (1935 був засудж. за сфабрик. справою до 5-ти р. заслання в м. Архангельськ, РФ; реабіліт. 1957); у 1929–30 – зав. відділу рентґенофізики, 1939–60 – зав. відділу напівпровідників Ін-ту фізики АН УРСР; 1960–70 – дир. Ін-ту напівпровідників АН УРСР (від 2002 – ім. Л.; обидва – Київ); водночас 1944–52 – зав. каф. фізики, 1952–56 – зав. каф. напівпровідників Київ. ун-ту. 1947–51 – акад.-секр. Відділ. фізики АН УРСР. Засн. і гол. ред. «Укра­їнського фізичного журналу» (1956–70). Наук. дослідж. стосувалися оптики рентґенів. про­менів, дифракції електронів, фі­зики і техніки напівпровідників. Спільно з В. Линником визначив показники заломлювання рентґенів. променів для багатьох речовин. Досліджував механізм виникнення фото-ЕРС у оксиді міді (1) і виявив у ньому р-n-перехід; створив фотоелементи з антизапір. шаром. Розвинув уявлення про біполярну дифузію носіїв струму, про роль осн. та неосн. носіїв у цьому процесі, про керування процесом дифузії електр. полем. Здій­снив цикл робіт з вивчення при­роди фото-ЕРС у напівпровідниках та їх фотопровідності. Створив теорію конденсатор. фото-ЕРС, відкрив об’ємну фото-ЕРС. 2000 Президією НАНУ засн. премію ім. Л.

Пр.: Дифракция электронов. Ленин­град, 1933; Исследование запорного слоя методом термозонда // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1941. T. 5, № 4–5; Эквивалентная схема и структура запорного слоя твердого выпря­мителя // ЖТФ. 1945. T. 15, № 9; Возникновение фотоэлектродвижущих сил в полупро­водниках // ЖЭТФ. 1948. T. 18, № 10; О природе люминесценции закиси меди // Докл. АН СССР. 1954. Т. 97, № 6 (спів­авт.); Термическое равновесие элек­тронов на поверхностных и объемных уровнях в полупроводнике // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т. 20, № 12; О канале быстрой рекомбинации на поверхности монокристаллов CdS // ФТТ. 1963. Т. 5, № 12 (спів­авт.); Определение времени жизни и подвижности нерав­новесных дырок в монокристаллах сер­нистого кадмия // Там само. 1967. T. 9, № 2 (спів­авт.); Неравновесные процес­сы в фотопроводниках. К., 1981 (спів­авт.).

В. М. Томашик

Стаття оновлена: 2016