Лисенко Володимир Сергійович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Лисенко Володимир Сергійович

ЛИ́СЕНКО Володимир Сергійович (28. 01. 1940, Київ) – фахівець у галузі фізики напівпровідників. Д-р фіз.-мат. н. (1986), проф. (1988), чл.-кор. НАНУ (1992). Держ. пре­мія УРСР у галузі н. і т. (1984), премії ім. С. Лебедєва (2004) та ім. В. Лашкарьова (2005) НАНУ. Засл. діяч н. і т. України (1998). Закін. Київ. ун-т (1963). Відтоді з перервами працює в Ін-ті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1983–90 – заст. дир., від 1991 – зав. відділу фіз.-тех. проблем іон­но легованих напівпровідників і багатошар. структур на їх основі. 1972–80 – у Президії АН УРСР; 1992–97 – голова Держ. інновац. фонду України. Напрями наук. діяльності: напівпровідник. мікро- та наноелектроніка, фізика багатофаз. шаруватих систем, фі­зика радіац. дій на напівпровідник. структури, фіз. основи діагностики мікро-, нано- та оптоелектрон. структур і приладів, технології отримання нових видів нанокомпозит. матеріалів. Відкрив і з’ясував вплив попереч. електростатич. полів на фун­дам. електрофіз. характеристики високотемператур. напівпровід. керамік (крит. т-ра напівпровід. переходу, крит. густина стру­му, крит. магнітне поле та ін.); дослідив роль впливу нанорозмір. перехід. прошарків на межі розділу багатофаз. структур на формування електрон. спектрів станів, тунел. перезарядження яких визначає функціонування транзистор. пристроїв при низь­ких т-рах; вивчив фіз. явища низькотемператур. відпалів дефектів й активації домішок у імплантов. багатофаз. структурах при нерівноваж. впливах; ство­рив автоматиз. методи діагно­стики мікро- та наноелектрон. приладів і систем; розробив методи синтезу нових видів нанокомпозит. матеріалів з унікал. властивостями на основі кремній-вуглецевих плівок і кар­бонов. оксидів кремнію (покрит­тя з високою короз. стійкістю, упр. мех. напруженнями в широких межах, інтенсивна біла лю­мінесценція максимально близь­ка до природ. білого світла).

Пр.: Electric field effect at the surface of high-temperature semiconductors // J. Phys. IV France. 1998. Vol. 8; Thermally activated processes in the buried oxide of SIMOX SOI structures and devices // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45, № 4; Color control of white photoluminescence from carbon incorporated silicon oxide // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104; The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon rich hydrogenated amor­phous silicon-carbon films // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81; Carrier transfer effect in p-i-n structures with Ge quantum dots // Там само. 2011. Vol. 84; Surface recon­struction and optical absorbtion changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si (100) surface // Semicond. Sci. Technol. 2013. Vol. 28 (усі – спів­авт.).

Літ.: 70-річчя члена-кореспондента НАН України В. С. Лисенка // Вісн. НАНУ. 2010. № 1.

В. М. Томашик

Стаття оновлена: 2016