Коломоєць Володимир Васильович - Енциклопедія Сучасної України
Beta-версія
Коломоєць Володимир Васильович

КОЛОМО́ЄЦЬ Володимир Васильович (20. 08. 1938, м. Джетигара, Казахстан) – фізик. Д-р фіз.-мат. н. (1986), проф. (2003). Закін. Урал. політех. ін-т (м. Свердловськ, нині Єкатеринбург, РФ; 1960). Працював в Ін-ті фізики Дагестан. філії АН СРСР (м. Махачкала, 1961–68); від 1971 – в Ін-ті фізи­­ки напівпровідників НАНУ (Київ): від 1986 – пров. н. с. лаб. електрич. та гальваномагніт. влас­тивостей напівпровідників. Ви­вчає електрофіз. властивості на­пів­­провідників при екстрем. умо­вах експерименту. Під кер-вом К. створ. установку сильних тисків для кристалів кремнію до 6–7 ГПа, за допомогою якої визначено низку параметрів для зони провідності кремнію та германію. Дослідив перебудову зон­­ного спектра при сильних одно­­віс. деформаціях та запропону­­вав методи визначення фундам. параметрів напівпровідників.

Пр.: Электрические и гальва­­номаг­­нитные явления в анизотропных полупроводниках. К., 1977; Silicon and ger­­manium energy bands transformation under high uniaxial stress // Proceedings of 20th Intern. Conf. on Physics of Semi­­conductors. Vol. 3. Thessaloniki, 1990; Application of piezoresistance effect in highly uniaxially strained p–Si and n–Si for current-carrier mobility increase // Phys. Stat. Sol. B. 2009. Vol. 246, № 3; Current сarriers transport in high unia­­xi­­ally strained silicon // AIP Conf. Procee­­dings. 2010. Vol. 1199 (усі – спів­авт.).

В. А. Шендеровський

Стаття оновлена: 2014