Кузнецов Геннадій Васильович
КУЗНЕЦО́В Геннадій Васильович (20. 06. 1945, станиця Успенська Краснодар. краю, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (2003). Закін. Київ. політех. інститут (1968). Працював у НДІ «Сатурн» (Київ, 1969–76); від 1976 — у Київ. університеті: від 2002 — зав. н.-д. лаб. фізики і техніки напівпровідників, водночас від 2005 — професор кафедри напівпровідник. електроніки. Досліджує контактні явища в структурах метал–напівпровідник та метал–діелектрик–напівпровідник; фіз.-хім. властивості оксид. напів- і надпровідників; розробляє прилади на основі поруватих і наноструктуров. матеріалів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Superconducting YBaCuO thin films on silicon with barium silicate buffer layers // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 1995. Vol. 5, № 2 (співавт.); About the gas sensitivity of contacts metal–silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia environment // Sensors and Actuators. 2000. Vol. 62 (співавт.); Прохождение носителей заряда в контакте металл–сверхпроводящий полупроводник // ФТП. 2002. Т. 36, № 9; Photoluminescence properties of silica aerogel/porous silicon nanocomposites // J. Physics D. 2010. Vol. 43 (співавт.); Influence of palladium particles impregnation on hydrogen behavior in meso-porous silicon // J. Alloys and Compounds. 2010. Vol. 492 (співавт.).