Кузнецов Геннадій Васильович
КУЗНЕЦО́В Геннадій Васильович (20. 06. 1945, станиця Успенська Краснодарського краю, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (2003). Закінчив Київський політехнічний інститут (1968). Працював у Науково-дослідному інституті «Сатурн» (Київ, 1969–76); від 1976 — у Київському університеті: від 2002 — завідувач науково-дослідної лабораторії фізики і техніки напівпровідників, водночас від 2005 — професор кафедри напівпровідникової електроніки. Досліджує контактні явища в структурах метал–напівпровідник та метал–діелектрик–напівпровідник; фізико-хімічні властивості оксидних напів- і надпровідників; розробляє прилади на основі поруватих і наноструктурованих матеріалів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Superconducting YBaCuO thin films on silicon with barium silicate buffer layers // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 1995. Vol. 5, № 2 (співавт.); About the gas sensitivity of contacts metal–silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia environment // Sensors and Actuators. 2000. Vol. 62 (співавт.); Прохождение носителей заряда в контакте металл–сверхпроводящий полупроводник // ФТП. 2002. Т. 36, № 9; Photoluminescence properties of silica aerogel/porous silicon nanocomposites // J. Physics D. 2010. Vol. 43 (співавт.); Influence of palladium particles impregnation on hydrogen behavior in meso-porous silicon // J. Alloys and Compounds. 2010. Vol. 492 (співавт.).
Людина 