Довгошей Микола Іванович

ДОВГОШЕ́Й Микола Іванович (22. 09. 1935, с. Вороньки Чорнухин. р-ну Харків., нині Полтав. обл. — 20. 07. 2004, Ужгород) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1988), професор (1988). Державна премія УРСР у галузі науки і техніки (1989). Закін. Київський університет (1958). Відтоді працював в Ужгород. університеті: зав. (1976–87), від 1987 — професор кафедри фіз. основ мікроелектроніки (від 1990 — каф. твердотільної електроніки). Наукові дослідження стосуються фізики і фіз.-технол. основ плівок складних халькогенідів та їх використання в елементах оптико- і мікроелектроніки. Розробив нові плівк. матеріали з широким спектром параметрів і властивостей; стійкі до лазер. та високоенергет. електрон. опромінювання плівки та плівк. структури.

Пр.: Градиентные оптические эле-менты в оптоэлектронике. Москва, 1985 (співавтор); Тонкие пленки новых сложных полупроводников. Уж., 1985; Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике. К., 1992; Effect of thermal treatment on the basic optical properties of zincthiogallate films // Advances in Condensed Matter and Materials Research. Vol. 2. New York, 2002 (співавтор); Явища перенесення носіїв заряду в гетероструктурах кристал Si–Bi — аморфна плівка Ge33As12Se55 // Фізика і хімія твердого тіла. 2005. Т. 6, № 1 (співавтор).

І. П. Студеняк

Основні праці

Градиентные оптические эле-менты в оптоэлектронике. Москва, 1985 (співавтор); Тонкие пленки новых сложных полупроводников. Уж., 1985; Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике. К., 1992; Effect of thermal treatment on the basic optical properties of zincthiogallate films // Advances in Condensed Matter and Materials Research. Vol. 2. New York, 2002 (співавтор); Явища перенесення носіїв заряду в гетероструктурах кристал Si–Bi – аморфна плівка Ge33As12Se55 // Фізика і хімія твердого тіла. 2005. Т. 6, № 1 (співавтор).