Добровольський Валентин Миколайович
Визначення і загальна характеристика
ДОБРОВО́ЛЬСЬКИЙ Валентин Миколайович (02. 07. 1933, Ленінград, нині С.-Петербург) — фахівець у галузях фізики напівпровідників і напівпровідникової електроніки. Доктор фізико-математичних наук (1977), професор (1980). Держ. премії УРСР (1982) та України (1997) в галузі н. і т., премія ім. К. Синельникова АН УРСР (1989). Закін. Київський університет (1956), де й працював до 2004: професор кафедри фізики напівпровідників (1978–2001), пров. н. с. (2001–04). Від 2005 — в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): пров. н. с., від 2007 — гол. н. с. Досліджує плазму напівпровідників, явища переносу електронів і дірок, мікро- та наноелектронні структури; розробляє засоби складання напівпровідник. приладів. Виявив клас сильних ефектів в електронно-дірк. плазмі напівпровідників, що зумовлені зміною рухливостей носіїв заряду вздовж струму, та подібних явищ у р–n-переході; високочастотні коливання температури напівпровідника й самоорганізацію плазми; ефекти, зумовлені перерозподілом плазми магніт. полем. Розвинув теорію плоского електр. поля в інверсій. каналах напівпровідників у присутності магніт. поля, розробив теорію польового транзистора, у якій враховано дрейфовий та дифузій. струми. Запропонував метод визначення знаку носіїв заряду, їх концентрації та рухливості (метод струму Голла); керування польовим затвором удар. іонізацією електронів та дірок і тунельним струмом p–n-переходу й надвисокочастотні транзистори з екстремально великою крутістю на базі такого керування; детектор ТГц електромагніт. випромінювання, в якому використовується розігрів електронно-дірк. плазми напівпровідника.
Пр.: Использование холловского тока для исследования рассеяния носителей в полупроводниках // ФТТ. 1962. Т. 4, № 10; Дрейф электронно-дырочной плазмы, обусловленный градиентами подвижностей носителей заряда // Физика и техника полупроводников. 1977. Т. 11, № 7; Методы исследования полупроводников. К., 1988; Surface Electronic Transport Phenomena in Semiconductors. New York, 1991; Theory of magnetic-field-sensitive metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 3; Silicon-on-insulator control impact-ionization-avalanche transistor // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88 (усі — у співавт.).
Л. В. Іщук
Додаткові відомості
- Основні праці
- Использование холловского тока для исследования рассеяния носителей в полупроводниках // ФТТ. 1962. Т. 4, № 10; Дрейф электронно-дырочной плазмы, обусловленный градиентами подвижностей носителей заряда // Физика и техника полупроводников. 1977. Т. 11, № 7; Методы исследования полупроводников. К., 1988; Surface Electronic Transport Phenomena in Semiconductors. New York, 1991; Theory of magnetic-field-sensitive metal-oxide-semiconductor field-effect transistors // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85, № 3; Silicon-on-insulator control impact-ionization-avalanche transistor // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88 (усі — у співавт.).
Завантажити статтю
