ДОБРОВО́ЛЬСЬКИЙ Валентин Микола­йович (02. 07. 1933, Ленін­град, нині С.-Петербург) — фахівець у галузях фізики напів­провід­ників і напів­провід­никової електроніки. Доктор фізико-математичних наук (1977), професор (1980). Держ. премії УРСР (1982) та України (1997) в галузі н. і т., премія ім. К. Синельникова АН УРСР (1989). Закін. Київський університет (1956), де й працював до 2004: професор кафедри фізики напів­провід­ників (1978–2001), пров. н. с. (2001–04). Від 2005 — в Ін­ституті фізики напів­провід­ників НАНУ (Київ): пров. н. с., від 2007 — гол. н. с. Досліджує плазму напів­провід­ників, явища пере­носу електронів і дірок, мікро- та нано­електрон­ні структури; роз­робляє засоби скла­да­н­ня напів­провід­ник. приладів. Виявив клас сильних ефектів в електрон­но-дірк. плазмі напів­провід­ників, що зумовлені зміною рухливостей носіїв заряду вздовж струму, та подібних явищ у р–n-пере­ході; високочастотні колива­н­ня температури напів­провід­ника й самоорганізацію плазми; ефекти, зумовлені пере­розподілом плазми магніт. полем. Роз­винув теорію плоского електр. поля в інверсій. ка­налах напів­провід­ників у присутності магніт. поля, роз­робив теорію польового транзистора, у якій враховано дрейфовий та дифузій. струми. За­пропонував метод ви­значе­н­ня знаку носіїв заряду, їх концентрації та рухливості (метод струму Голла); керува­н­ня польовим затвором удар. іонізацією електронів та дірок і тунельним струмом p–n-пере­ходу й надвисокочастотні транзистори з екс­тремально великою крутістю на базі такого керува­н­ня; детектор ТГц електромагніт. ви­промінюва­н­ня, в якому використовується ро­зі­грів електрон­но-дірк. плазми напів­провід­ника.