Ґебель Ернст

ҐЕ́БЕЛЬ Ернст (Göbel Ernst; 24. 03. 1946, м. Зеельбах, Німеччина) — німецький фізик. Іноз. чл. НАНУ (1997). Закін. Університет у Франкфурті-на-Майні (1970). Здобув ступ. д-ра у Штуттґарт. університеті (1973; габілітов. 1979), де й працював 1976–80. У 1980–86 — в Інституті досліджень твердого тіла Товариства М. Планка (Штуттґарт); 1986–94 — проф. Мар-бур. університету. Від 1995 — директор Держ. інституту стан- дартів Німеччини. Наукові праці Ґ. присвячені електрон. та оптич. властивостям неорган. і орган. твердих тіл, зокрема дослідж. швидкоплинних електрон. (екситонних) процесів у напівпровідниках з використанням методів піко- і фемтосекундної лазер. спектроскопії. Вперше експериментально продемонстрував явище фотонної луни у пікосекундному діапазоні довжин хвиль і отримав фундам. результати з фемтосекундного квант. биття. Організував співробітництво вчених Німеччини з науковцями Інституту фізики НАНУ (Київ) і сприяв забезпеченню Інституту сучас. експерим. устаткуванням.

Пр.: Ultrafast field-induced dissociation of excitons in conjugated polymers // Phys. Rev. Lett. 1994. № 73; Optical coherence in semiconductors: strong emission mediated by nondegenerate interactions // Там само. 1996. № 77; Microsecond carrier recombination times in InAs/AlAs quantum dots // Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81, № 13; Correlation of the physical properties and the interface morphology of AlGaAs/GaAs heterostructures // J. Applied Physics. 2003. Vol. 94, № 4 (усі — у співавт.).

В. М. Палій

Основні праці

Ultrafast field-induced dissociation of excitons in conjugated polymers // Phys. Rev. Lett. 1994. № 73; Optical coherence in semiconductors: strong emission mediated by nondegenerate interactions // Там само. 1996. № 77; Microsecond carrier recombination times in InAs/AlAs quantum dots // Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81, № 13; Correlation of the physical properties and the interface morphology of AlGaAs/GaAs heterostructures // J. Applied Physics. 2003. Vol. 94, № 4 (усі – у співавт.).