Бєляєв Олександр Євгенович
БЄЛЯ́ЄВ Олександр Євгенович (25. 06. 1947, Київ) — фахівець у галузі фізики напівпровідників та діелектриків. Доктор фізико-математичних наук (1991), професор (1999), член-кореспондент НАНУ (2006), академік НАНУ (2018). Закін. Київський університет (1972). Від 1973 — в Інституті фізики напівпровідників НАНУ: м. н. с, ст. н. с, від 1991 — пров. н. с, від 2003 — заступник директора з наукової роботи. Досліджує електронні властивості напівпровідникових гетероструктур. явища переносу в низьковимірних системах, їх застосування в приладах НВЧ-електроніки.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Coexistense of two deep donor states, DX<sup><small>0</small></sup> and DX, of the Sn donor in Ga<sub><small>1-x</small></sub>AI<sub><small>x</small></sub>As // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45 (співавтор); Radiation resistance of GaAs-based mictowave Schottky-barrier devices. K., 1998 (співавтор); Tunneling through X-valley-related impyrity states in GaAs/AIAs resonant tunneling diodes // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, № 16 (співавтор); Excess low-frequency noise in AIGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, № 12 (співавтор).
Завантажити статтю
