Курбанов Курбан Рамазанович

Визначення і загальна характеристика

КУРБА́НОВ Курбан Рамазанович (22. 02. 1940, с. Хутхул, нині Даге­стан, РФ) — фізик. Канд. хім. (1973), д-р тех. (1993) н., професор (2004). Державна премія УРСР в галузі науки і техніки (1991). Закін. Пн.-Осетин. пед. ін­ститут (м. Орджонікідзе, нині Владикавказ, РФ, 1965). Учителював. 1973–97 працював на Світловод. заводі чистих металів (Кіровогр. обл.): від 1977 — нач. дослідниц. лаб. монокри­сталів напів­провід­ник. матеріалів А2В6; одночасно 1994–2004 — у Кременчуц. ін­ституті економіки та нових технологій (Полтав. обл.): від 1997 — завідувач кафедри екології, водночас від 2003 — проректор з метод. роботи; від 2004 — за­ступник директора з наукової роботи і завідувач кафедри маркетингу Кременчуц. ін­ституту Дні­проп. університету економіки та пра­ва. Досліджує порушені шари напів­провід­ник. матеріалів; роз­­робляє напів­провід­ник. сполуки А2В6, А4В6 та тверді роз­чини на їх основі. За­пропонував технології отрима­н­ня монокри­стал. пластин напів­провід­ник. твердих роз­чинів телуриду, кадмію і ртуті, зокрема для виготовле­н­ня під­кладок для вирощува­н­ня епітаксіал. шарів.

Пр.: Строение нарушен­ного слоя в кри­стал­лах Ge, Si и GaAs // Изв. АН СССР. Неорган. мат. 1972. Т. 8, № 2; Многоэлементные фоторезисторы из Hg_1х-sCd_xTe // Вопр. оборон. техники. Сер. 11. 1977. Вып. 51; Поверх­ность CdхНg1-хТе по дан­ным рентгеновской фо­тоэлектрон­ной спектро­скопии // Пись­ма в ЖТФ. 1980. Т. 6, вып. 17; Тем­пе­ратур­ная зависимость скорости ультра­­звука в Cd_0,3Hg_0,7 Те // ФТП. 1987. Т. 21, вып. 6; Comparative study of bulk Hg_0,8Cd_0,2Те grown from initial elements of different pu­rity // Proceedings of SPIE. 1998. Vol. 3860; Получение и свойства совершен­ных мо­нокри­стал­лов n-Hg_0,8Cd_0,2Te, легиро­ван­ных индием // Конденсирован. среды и межфаз. границы. 1999. Т. 1, № 3/4 (усі — спів­­авт.).

Ю. М. Гаврилюк

Завантажити статтю