Курбанов Курбан Рамазанович
КУРБА́НОВ Курбан Рамазанович (22. 02. 1940, с. Хутхул, нині Дагестан, РФ) — фізик. Канд. хім. (1973), д-р тех. (1993) н., професор (2004). Державна премія УРСР в галузі науки і техніки (1991). Закін. Пн.-Осетин. пед. інститут (м. Орджонікідзе, нині Владикавказ, РФ, 1965). Учителював. 1973–97 працював на Світловод. заводі чистих металів (Кіровогр. обл.): від 1977 — нач. дослідниц. лаб. монокристалів напівпровідник. матеріалів А2В6; одночасно 1994–2004 — у Кременчуц. інституті економіки та нових технологій (Полтав. обл.): від 1997 — завідувач кафедри екології, водночас від 2003 — проректор з метод. роботи; від 2004 — заступник директора з наукової роботи і завідувач кафедри маркетингу Кременчуц. інституту Дніпроп. університету економіки та права. Досліджує порушені шари напівпровідник. матеріалів; розробляє напівпровідник. сполуки А2В6, А4В6 та тверді розчини на їх основі. Запропонував технології отримання монокристал. пластин напівпровідник. твердих розчинів телуриду, кадмію і ртуті, зокрема для виготовлення підкладок для вирощування епітаксіал. шарів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Строение нарушенного слоя в кристаллах Ge, Si и GaAs // Изв. АН СССР. Неорган. мат. 1972. Т. 8, № 2; Многоэлементные фоторезисторы из Hg1х-sCdxTe // Вопр. оборон. техники. Сер. 11. 1977. Вып. 51; Поверхность CdхНg1-хТе по данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Письма в ЖТФ. 1980. Т. 6, вып. 17; Температурная зависимость скорости ультразвука в Cd0,3Hg0,7 Те // ФТП. 1987. Т. 21, вып. 6; Comparative study of bulk Hg0,8Cd0,2Те grown from initial elements of different purity // Proceedings of SPIE. 1998. Vol. 3860; Получение и свойства совершенных монокристаллов n-Hg0,8Cd0,2Te, легированных индием // Конденсирован. среды и межфаз. границы. 1999. Т. 1, № 3/4 (усі — співавт.).
Завантажити статтю
Людина 
