Малютенко Володимир Костянтинович
МАЛЮТЕ́НКО Володимир Костянтинович (10. 10. 1939, Київ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1980), професор (1982). Премія РМ СРСР (1983), Державна премія УРСР у галузі науки і техніки (1988). Закін. Київський університет (1962). Працював 1965–2015 в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1976 — завідувач відділу плазм. явищ; водночас 1969–76 — науковий співробітник та консультант, 1972–76 — заступник гол. вченого секр. Президії АН УРСР. Досліджував процеси теплового випромінювання, люмінесценції, радіац. охолодження та конверсії світла в напівпровідниках; розробляв прилади інфрачервоної техніки. Автор терміна «негативна люмінесценція» у фізиці напівпровідників.
Пр.: Отрицательная люминесценция в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 5 (співавт.); Thermal emission in semiconductors. Investigation and application // Infrared Physics. 1991. Vol. 32; Exclusion effects revisited: nontraditional use of narrow-gap semiconductors // Semiconductor Science and Technology. 1993. Vol. 8; HgCdTe and other infrared material status in the Ukraine // J. of Electronic Materials. 1995. Vol. 24; Negative luminescence in semiconductors: A retrospective view // Physica E. 2004. Vol. 20; Planar silicon light emitting arrays for the 3-12 μm spectral band // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106 (співавт.); Current crowding effect on the ideality factor and efficiency droop in blue lateral InGaN/GaN light emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97 (співавтор).
В. М. Томашик
Основні праці
Отрицательная люминесценция в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т. 5 (співавт.); Thermal emission in semiconductors. Investigation and application // Infrared Physics. 1991. Vol. 32; Exclusion effects revisited: nontraditional use of narrow-gap semiconductors // Semiconductor Science and Technology. 1993. Vol. 8; HgCdTe and other infrared material status in the Ukraine // J. of Electronic Materials. 1995. Vol. 24; Negative luminescence in semiconductors: A retrospective view // Physica E. 2004. Vol. 20; Planar silicon light emitting arrays for the 3-12 μm spectral band // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106 (співавт.); Current crowding effect on the ideality factor and efficiency droop in blue lateral InGaN/GaN light emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97 (співавтор).