Марончук Ігор Євгенович
МАРОНЧУ́К Ігор Євгенович (01. 01. 1938, Дніпропетровськ, нині Дніпро) — електрофізик. Доктор технічних наук (1983), професор (1985). Державна премія УРСР у галузі науки і техніки (1983), премія РМ СРСР (1991). Закін. Кишинів. університет (1960). Працював 1960–62 у СКБ заводу п/с № 2 (м. Омськ, РФ); 1963–71 — в Інституті фізики напівпровідників АН СРСР (м. Новосибірськ, РФ); 1971 — у Запоріз. індустр. інституті; 1971–81 — керівник центр. н.-д. лаб. Світловод. заводу чистих металів (Кіровогр. обл.); 1981–89 — завідувач кафедри фізики, 1989–90, 1992–97 — завідувач кафедри фіз. та електрон. техніки, 1997–2000 — завідувач кафедри фіз. електроніки, 2000–04 — зав., 2004–09 — професор кафедри енергетики й електротехніки Херсон. тех. університету; 1990–92 — зав. Херсон. відділ. Інституту фізики напівпровідників АНУ; 2010–11 — завідувач кафедри фізики Севастоп. університету ядер. енергії та промисловості; 2011–14 — ректор, завідувач кафедри комп’ютеризов. систем упр. Кременчуц. університету економіки, інформ. технологій і упр. (Полтав. обл.). Був гол. ред. ж. «Нові технології: Вісн. Кременчуц. університету економіки, інформ. технологій і упр.». Осн. напрями наук. діяльності: дослідж. процесів вирощування та розроблення основ пром. технології епітаксій. гомо- та гетероструктур германія і арсеніду галію в йодид. процесі та шарів арсеніду галію високого ступеню чистоти в хлорид. методі низькотемператур. процесу; створення пром. технологій вирощування із обмеженого об’єму насич. розчину — розплаву p-n структур арсеніду галію, легованого кремнієм для світлодіодів інфрачервоного діапазону; вивчення механізмів формування низькорозмір. структур у цьому процесі.
Додаткові відомості
- Основні праці
- К вопросу о количественном описании транспортных реакций // ФТП. 1964. № 10; Эпитаксиальные слои арсенида галлия с высокой подвижностью электронов // Там само. 1968. № 5; Особенности выращивания эпитаксиальных слоев из ограниченного объема раствора-расплава // Кристаллография. 1977. Т. 22, № 2; Получение и свойства высококачественных эпитаксиальных слоев арсенида галлия // Изв. АН СССР. 1980. № 2; Наноразмерные слои GaAs, полученные при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, вып. 17; Стан і перспективи розвитку сонячної фотоелектричної енергетики // Нові технології: Вісн. Кременчуц. університету економіки, інформ. технологій і упр. 2011. № 1; Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III–V // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. ст. К., 2012. Т. 10, № 1 (усі — співавт.).