Оліх Ярослав Михайлович

О́ЛІХ Ярослав Михайлович (06. 06. 1946, с. Лисичинці Підволочиського, нині Тернопільського р-ну Тернопільської обл. — 15. 10. 2023, Київ) — фізик. Батько О. Оліха. Доктор фізико-математичних наук (2011), професор (2016). Премія ім. І. Пулюя НАНУ (2021). Закінчив Київський університет (1969). Відтоді працював у Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 2012 — провідний науковий співробітник. Наукові дослідження: акустика твердого тіла та акустоелектроніка напівпровідників.

Пр.: Influence of in-situ ultrasound treat­ment during ion implantation on amorphi­zation and junction formation in silicon // J. of Vacuum Science Technology. 2002. Vol. 20, № 4; Light emission from nano­crystalline silicon clusters embedded in silicon dioxide: Role of the suboxide sta­tes // J. of Luminescence. 2010. Vol. 130, № 1; Reverse ultrasonic changes of elec­trical conductivity in CdTe:Cl crystals // Superlattices and Microstructures. 2016. Vol. 95, № 7; Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound // J. of Electronic Materials. 2018. Vol. 47, № 8; Mechanism of two-stage conductivity re­laxation in CdTe:Cl // Там само. 2019. Vol. 49, № 8 (усі — спів­авт.).

В. М. Томашик

Основні праці

Influence of in-situ ultrasound treat­ment during ion implantation on amorphi­zation and junction formation in silicon // J. of Vacuum Science Technology. 2002. Vol. 20, № 4; Light emission from nano­crystalline silicon clusters embedded in silicon dioxide: Role of the suboxide sta­tes // J. of Luminescence. 2010. Vol. 130, № 1; Reverse ultrasonic changes of elec­trical conductivity in CdTe:Cl crystals // Superlattices and Microstructures. 2016. Vol. 95, № 7; Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound // J. of Electronic Materials. 2018. Vol. 47, № 8; Mechanism of two-stage conductivity re­laxation in CdTe:Cl // Там само. 2019. Vol. 49, № 8 (усі – спів­авт.).

завантажити статтю