Климовська Алла Іванівна
КЛИМО́ВСЬКА Алла Іванівна (24. 02. 1938, Ленінград, нині С.-Петербург) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1986). Закін. Львівський університет (1961). Відтоді працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1987–89 і від 1996 — провідний науковий співробітник, 1989–96 — зав. лаб. розмір. явищ у напівпровідниках. Виявила ефект охолодження гарячих носіїв заряду при їх зіткненні з поверхнею; ефект розшарування носіїв заряду, що належать до різних долин, у тонких шарах багатодолин. напівпровідника; від’ємний магнітоопір у квантованому шарі приповерхн. заряду; зарядові хвилі на поверхні напівпровідника; розмірну залежність сталої ґратки, спектрів фотолюмінесценції і хім. активнoсті поверхні мікрокристалів Si.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Поглощение энергии горячих лекторов поверхностью полупроводника // Письма в ЖТФ. 1968. Т. 7, вып. 6; Приповерхностное перезаселение долин в лектронном кремнии // Проблемы физики поверхности полупроводников. К., 1981; X-ray study of free-standing filament-like crystals of GeSi-solid solution // J. Physics: Condensed Matter. 1995. Vol. 7; Lattice parametrer change in submicron Si whiskers // Thin Solid Films. 1998. Vol. 319; Growth of arrays of silicon nanowires with centro-symmetric distribution over silicon substrate // Superlattices and Microstructures. 2008. Vol. 44 (усі — співавт.).