Гайдар Галина Петрівна
ГАЙДА́Р Галина Петрівна (28. 08. 1962, Київ) — фізик, фахівець у галузі напівпровідникової електроніки. Дочка П. Баранського. Доктор фізико-математичних наук (2014). Закінчила Київський університет (1984). Відтоді працювала в Інституті фізики АН УРСР; від 1988 — в Інституті ядерних досліджень НАНУ (обидва — Київ): від 2015 — завідувач відділу радіаційної фізики. Наукові дослідження: фізика твердого тіла, радіаційна фізика напівпровідників, кінетичні явища в багатодолинних напівпровідниках. Вивчає кінетику електронних процесів у монокристалах кремнію та германію, радіаційну стійкість напівпровідників, займається пошуками способів її підвищення, виявленням впливу дефектів кристалічної ґратки на електрофізичні властивості обʼємних напівпровідників і наноструктур.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Influence of γ-irradiation (60Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2012. Vol. 15, № 1; Тензосопротивление кристаллов n-Ge и n-Si при наличии радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, № 9; Магніто- і тензоопір компенсованих кристалів р-Ge в області слабких, проміжних і класично сильних магнітних полів // Фізика і хімія твердого тіла. 2016. Т. 17, № 1; Радіаційно-, термічно- і деформаційно-індуковані ефекти в кремнії та германії. К., 2021 (співавт.); Electrophysical properties of compensated n-Germanium // Physica B Condensed Matter. 2022. Vol. 636.
Завантажити статтю
Людина 
