ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
СУЧАСНОЇ УКРАЇНИ
Encyclopedia of Modern Ukraine
A

Порошин Володимир Миколайович

ПОРО́ШИН Володимир Миколайович (17. 05. 1951, м. Світлоград Ставропольського краю, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (2006), професор (2017). Заслужений діяч науки і техніки України (2019). Премія імені А. Приходько НАНУ (2008). Закінчив Ростовський університет (РФ, 1973). Працював 1973—77 у НДІ люмінофорів (Ставрополь); від 1980 — в Інституті фізики НАНУ (Київ): від 2003 — завідувач відділу електроніки твердого тіла (від 2016 — на громадських засадах), від 2006 — заступник директора з наукової роботи. Наукові дослідження: нелінійні оптичні явища, пов’язані з вільними носіями заряду в напівпровідниках зі складною структурою енергетичних зон; фізика нерівноважних електронів і фононів у напівпровідниках і напівпровідникових гетероструктурах; нанофізика.

Пр.: Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation // J. of Applied Physics. 2016. Vol. 119; A peculiarity of quantum hot-electron real space transfer in dualchannel GaAs-based heterostructures // J. Phys. Commun. 2017. Vol. 1; Transient processes in electric transport in the powder MoS2 samples // J. of Applied Physics. 2022. Vol. 131; Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells // Low Temperature Physics. 2022. Vol. 48, № 2; Low-temperature radiation damage studies in single-walled carbon nanotube bundles by hopping conductance // Diamond and Related Materials. 2023. Vol. 135 (усі — співавт.).

В. С. Манжара

Основні праці

Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation // J. of Applied Physics. 2016. Vol. 119; A peculiarity of quantum hot-electron real space transfer in dualchannel GaAs-based heterostructures // J. Phys. Commun. 2017. Vol. 1; Transient processes in electric transport in the powder MoS2 samples // J. of Applied Physics. 2022. Vol. 131; Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells // Low Temperature Physics. 2022. Vol. 48, № 2; Low-temperature radiation damage studies in single-walled carbon nanotube bundles by hopping conductance // Diamond and Related Materials. 2023. Vol. 135 (усі — співавт.).

завантажити статтю

Інформація про статтю

Автор:

Авторські права:

Cтаттю захищено авторським правом згідно з чинним законодавством України. Докладніше див. розділ Умови та правила користування електронною версією «Енциклопедії Сучасної України»

Бібліографічний опис:

Порошин Володимир Миколайович / В. С. Манжара // Енциклопедія Сучасної України [Електронний ресурс] / Редкол. : І. М. Дзюба, А. І. Жуковський, М. Г. Железняк [та ін.] ; НАН України, НТШ. – К. : Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2023. – Режим доступу : https://esu.com.ua/article-880817

Том ЕСУ:

Стаття має лише електронну версію

Дата опублікування статті онлайн:

2023

Дата останньої редакції статті:

2023-10-17

Цитованість статті:

переглянути в Google Scholar

Для навчання:

використати статтю в Google Classroom

Тематичний розділ сайту:

Ключове слово:

EMUID (ідентифікатор статті ЕСУ):

880817

Кількість переглядів цього року:

22

Схожі статті

Литвиненко
Людина  |  Том 17 | 2024
А. В. Бабіч
Пильчиков
Людина  | 2022
О. М. Боголюбов
Семенова
Людина  | 2023
В. А. Ільєнко

Нагору