Фіщук Іван Іванович
ФІЩУ́К Іван Іванович (07. 01. 1945, с. Кліводин Кіцманського, нині Чернівецького р-ну Чернівецької обл. — 16. 04. 2024, Нідерланди) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1989). Закінчив Чернівецький університет (1968). Працював 1972–73 в Інституті теоретичної фізики АН УРСР; 1973–2024 — в Інституті ядерних досліджень НАНУ (обидва — Київ): від 1990 — провідний науковий співробітник. Наукові інтереси присвячені теоретичним дослідженням електричних, оптичних, гальваномагнітних і термомагнітних явищ у неупорядкованих твердотільних середовищах, зокрема й пошкоджених радіаційним опроміненням.
Додаткові відомості
- Основні праці
- A unified description for hopping transport in organic semiconductors including both energetic disorder and polaronic contributions // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 88, № 12; Origin of Meyer-Neldel-type compensation behavior in organic semiconductors at large carrier concentrations: Disorder vs. Thermodynamic description // Там само. 2014. Vol. 90, № 24; Interplay between hopping and band transport in high-mobility disordered semiconductors at large carrier concentrations: The case of the amorphous oxide InGaZnO // Там само. 2016. Vol. 93, № 19; Role of transport edge variation on delocalized change transport in high-mobility crystalline organic semiconductors // Там само. 2017. Vol. 96, № 12; Role of the reorganization energy for charge transport in disordered organic semiconductors // Там само. 2021. Vol. 103, № 16; Random band-edge model description of thermoelectricity in high-mobility disordered semiconductors: Application to the amorphous oxide In-Ga-Zn-O // Там само. 2022. Vol. 105, № 24 (усі — співавт.).
Завантажити статтю
Людина 
