Богданов Євген Іванович
БОГДА́НОВ Євген Іванович (12. 03. 1951, м. Єнакієве Сталінської обл., нині Горлівського р-ну Донецької обл.) — металофізик. Доктор фізико-математичних наук (2022). Закінчив Харківський університет (1979). Працював 1979–85, 1988–96 на заводі «Квазар» НВО «Кристал»; 1996–2002 — у НДІ мікроприладів; від 2002 — старший науковий співробітник Інституту металофізики НАНУ (усі — Київ). Наукові дослідження: розроблення нових методів оброблення для виготовлення металевих і напівпровідникових матеріалів з поліпшеними функціональними властивостями та їх фундаментальне і прикладне вивчення; створення ефективних методів неруйнівної рентґенівської структурної діагностики кристалічних матеріалів з дефектами різних типів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Anisotropy of the diffusion of P in Si // Cryst. Res. Technol. 1990. Vol. 25, № 1; Kinetics of TiSi2 thin film formation at a single-crystal silicon surface by Ti ion irradiation // Thin Solid Films. 1993. Vol. 226; X–ray diffusive scattering intensity by crystals with heterogeneous of complexes // Ukr. J. Phys. 2006. Vol. 51, № 11–12; New possibilities for phase-variation sttructural diagnostics of multiparametrical monocrystalline systems with defects // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021. Vol. 24, № 1; Impact Structural-Impurity State on the Electrophysical Properties of Fe/n-Si Junction // Metallofiz. Noveishie Technol. 2023. Vol. 45, № 2 (усі — співавт.).
Людина 