Шепельський Георгій Анатолійович
ШЕПЕ́ЛЬСЬКИЙ Георгій Анатолійович (16. 11. 1939, с. Краснокутськ, нині с-ще Богодухівського р-ну Харківської обл.) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1990), професор (1993). Державна премія УРСР у галузі науки і техніки (1986). Закінчив Московський інженерно-фізичний інститут (1967). Працював 1970–2012 в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1988 — завідувач лабораторії датчиків параметрів технологічних процесів, від 1992 — провідний науковий співробітник. Наукові дослідження: кінетичні рекомбінаційні явища, нерівноважні процеси, механізми дефектоутворення в напівпровідниках.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Physical Properties of A2B6 Semiconductor Crystals After Plastic Deformatin at Low Temperature // Physica Status Solidi (a). 1988. Vol. 110, № 1; Низкотемпературное движение дислокаций как возможный механизм образования одномерных электронных структур в полупроводниковых кристаллах // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1997. Т. 66, вып. 10; The nanometer scaled defects induces with the dislocation motion in II-VI insulated semiconductors // Advanced Materials Research. 2011. Vol. 276; Experimental evidence for the third level ( +) of Hg vacancy in Hg1-xCdxTe // Infrared Physics and Technology. 2012. Vol. 55, Issue 6; Effect of weak magnetic field on terahertz radiation of hot electrons in n-Ge // Physica Status Solidi (b). 2013. Vol. 250 (усі — співавт.).
Людина 