Андрієвський Володимир Васильович
АНДРІЄ́ВСЬКИЙ Володимир Васильович (17. 10. 1944, м. Краснодар, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (2005). Закінчив Харківський університет (1967). Від 1968 працює у Фізико-технічному інституті низьких температур НАНУ (Харків): від 2002 — провідний науковий співробітник, заступник завідувача відділу транспортних властивостей провідних і надпровідних систем, від 2021 — провідний науковий співробітник, заступник завідувача відділу мікроконтактної спектроскопії. Досліджує електронні кінетичні явища у тонких плівках, провідних системах з обмеженою геометрією, невпорядкованих і низьковимірних провідниках.
Додаткові відомості
- Основні праці
- On the Magnetoresistance Maximum Observed in the Intermediate Magnetic Field Region for the TwoDimensional Hole Gas in a Strained Si0,05Ge0,95 Quantum Well // J. of Low Temperature Physics. 2012. Vol. 168, № 5–6; The 2D conducting system formed by nanocrystallites CrSi2 in the (111) plane of silicon: New object // Elsevier, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014. Vol. 64; Magnetoresistance and electrical resistivity of N‐doped multi‐walled carbon nanotubes at low temperatures // Elsevier, Physica status solidi (b). 2015. Vol.252; The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied // Low Temperature Physics. 2018. Vol. 44, № 8; Quantum effects in silicon-germanium p-type heterostructures with quantum wells of different widths // Там само. 2023. Vol. 49, № 1 (усі — співавт.).
Завантажити статтю
Людина 
