Шейнкман Мойсей Ківович

ШЕ́ЙНКМАН Мойсей Ківович (18. 11. 1929, Київ — 03. 02. 2009, там само) — фізик. Брат А. Шейнкмана. Доктор фізико-математичних наук (1969), професор (1972), член-кореспондент НАНУ (1988). Заслужений діяч науки і техніки України (1995). Державні премії СРСР (1984), УРСР (1981) та України (1995) в галузі науки і техніки, премія імені В. Лашкарьова НАНУ (1999). Орден «За заслуги» 3-го ступеня (2000). Закінчив Київський університет імені Т. Шевченка (1952). Працював на виробництві; 1955–60 — в Ін­ституті фізики АН УРСР; від 1961 — в Ін­ституті фізики напів­провід­ників НАНУ (обидва — Київ): від 1970 — завідувач від­ділу фото­електричних явищ, водночас від 1972 — керівник від­діле­н­ня фото­електроніки; за сумісництвом 1975–85 — професор Київського університету імені Т. Шевченка. Разом із колегами роз­винув теорію рекомбінаційних процесів у напів­провід­никах з кількома типами рекомбінаційних центрів, створив комплекс методів для спільного дослідже­н­ня фото­провід­ності і рекомбінаційної люмінесценції, заснований на ви­вчен­ні їх стаціонарних і, головно, кінетичних характеристик; уперше роз­глянув новий тип взаємодії між центрами типу Оже, в якому енергія, що виділяється під час захопле­н­ня носія на центр, пере­дається носію на сусідньому центрі, пояснив групу явищ між­домішкової взаємодії у напів­провід­никах; на основі теоретичних роз­рахунків уперше створив фізичну модель неоднорідних систем, що дала змогу пояснити велику групу явищ тривалої релаксації струму (т. зв. залишкової провід­ності) у різних напів­провід­никових матеріалах; встановив ймовірні моделі основних центрів люмінесценції в матеріалах типу А²В⁶; дослідив принципово новий тип нерівноважних процесів — пере­творе­н­ня дефектів у разі збудже­н­ня світлом та рентґенівським ви­промінюва­н­ням або при інжекції носіїв заряду; виявив процеси пере­будови та генерації дефектів під дією ультра­звукових хвиль та лазерного ви­промінюва­н­ня; у результаті теоретичного аналізу процесів дрейфу дефектів в електричному полі показав, що процес електродифузійного очище­н­ня напів­провід­ника може бути значно під­силений завдяки деформаційним ефектам (це може справджуватися навіть для незаряджених дефектів); за­пропонував новий механізм зміни дифузійного барʼєра вакансійних центрів в іон­них кри­сталах, повʼязаний із захопле­н­ням двох електронів у антизвʼязувальний стан; виявив по­двійну інжекцію та електролюмінесценцію в окисному матеріалі PbO.