Мачулін Володимир Федорович
МАЧУ́ЛІН Володимир Федорович (23. 04. 1950, с. Завгороднє Петрів., нині Балаклій. р-ну Харків. обл. — 27. 03. 2014, Київ) — фахівець у галузі фізичної електроніки. Доктор фізико-математичних наук (1995), професор (2007), академік НАНУ (2009). Заслужений діяч науки і техніки України (1998). Державна премія України в галузі науки і техніки (1994, 2003). Орден Ярослава Мудрого 5-го ступ. (2012). Закін. Київ. політех. інститут (1973). Відтоді працював в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1997–2003 — зав., 2003–14 — гол. н. с. відділу дифракц. методів дослідж. структури напівпровідників, 2003–14 — директор; водночас від 1981 — у Президії НАНУ (від 2011 — її чл.): 1993–2003 — нач. наук.-організац. відділу; 2003–11 — голова ВАК України. Осн. напрями наук. діяльності: акуст. та рентґеноакуст. процеси і явища в напівпровідник. матеріалах та наноструктурах; розсіяння рентґенів. променів реал. кристалами; розробка та практичне застосування високорозділ. методів дослідж. для діагностики реал. структури слабо спотворених кристалів і квантоворозмір. систем; вплив випромінювань різної природи на напівпровідник. матеріали та прилади на їх основі; встановлення закономірностей динаміч. дифракції Х-променів на кристалах, які одночасно містять статичні та змодельовані акуст. спотворення структури.
Пр.: Рентгеновская диагностика структурного совершенства слабо искаженных кристаллов. К., 1994; Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами в области аномальной дисперсии. К., 2002; Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов. К., 2005; Рентгенооптичні ефекти в багатошарових періодичних квантових структурах. К., 2006; Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99, № 2; Динамічна дифракція Х-променів у багатошарових структурах. К., 2008; Influence of dislocation structure on deformation processes in AlGaN/GaN/(0001) Al2O3 heterostructures // Ukrainian J. Physics. 2009. Vol. 54, № 10; Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE, an x-ray study // J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. Vol. 44, № 2 (усі — співавт.).
Літ.: Мачулін Володимир Федорович // Фізика і хімія твердого тіла. 2010. Т. 11, № 1.
В. М. Томашик
Додаткові відомості
- Основні праці
- Рентгеновская диагностика структурного совершенства слабо искаженных кристаллов. К., 1994; Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами в области аномальной дисперсии. К., 2002; Дифрактометрия наноразмерных дефектов и гетерослоев кристаллов. К., 2005; Рентгенооптичні ефекти в багатошарових періодичних квантових структурах. К., 2006; Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 99, № 2; Динамічна дифракція Х-променів у багатошарових структурах. К., 2008; Influence of dislocation structure on deformation processes in AlGaN/GaN/(0001) Al2O3 heterostructures // Ukrainian J. Physics. 2009. Vol. 54, № 10; Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE, an x-ray study // J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. Vol. 44, № 2 (усі — співавт.).
Рекомендована література
Завантажити статтю
Людина 
