Інтегральна схема

Визначення і загальна характеристика

ІНТЕГРА́ЛЬНА СХЕ́МА — мікромініатюрний електрон­ний при­стрій, усі елементи якого або їхня частина кон­структивно повʼязані й електрично зʼ­єд­нані між собою на спільній платівці. Є функціон. вузлом електрон. апаратури. Ін. назви: чіп (англ. chip — тонка пластинка), мікрочіп. Роз­різняють І. с. напів­провід­ник., плівкові й гібридні. Напів­провід­никові І. с. виготовляють з особливо чистих кри­сталів (за­звичай кремнію або германію), частини яких стають функціон. елементами складної схеми: вони генерують і під­силюють сигнали, зменшують частоту електрич. коливань тощо. Плівкові І. с. створюють шляхом осаджува­н­ня на на­гріту керамічну або напів­провід­ник. платівку тонкого (до 1 мкм) чи товстого (понад 1 мкм) шару алюмінію, золота, титану, танталу або ін. матеріалу. Кожен такий шар має властивості певного пасив. елемента: мікрорезистора, мікроконденсатора, провід­ника електрич. струму та ін. У гібрид. I. с., крім пасив. плівкових, є активні елементи — без­корпусні напів­провід­ник. діоди й транзистори. І. с. за­стосовують для мікромініатюризації вузлів ЕОМ, контрольно-вимірюв. і радіо­апаратури тощо. І. с. роз­робили 1958 незалежно один від одного амер. інж. Дж. Кілбі (Нобелівська премія, 2000) та Р. Нойс (спів­засн. корпорації «Intel», 1968), обʼ­єд­навши на одному моноліт. кри­сталі з напів­провід­ник. матеріалу транзистори, резистори, конденсатори тощо. І. с. практично від­разу почали використовувати у виробництві компʼютерів і калькуляторів. У СРСР першу І. с. створ. 1961 у Таганроз. радіотех. ін­ституті (РФ) на основі амер. зразків для викори­ста­н­ня у системах наведе­н­ня баліст. ракет. 1962 в СРСР прийнято по­станову про роз­виток мікро­електрон. промисловості та створе­н­ня у м. Зелено­град побл. Москви НДІ молекуляр. електроніки з філіями у Києві, Мінську, Ризі, Вільнюсі, Тбілісі та ін. містах. Того ж року у Києві засн. КБ-3 (нині ТОВ «Мікро­прилад»), де створ. серію І. с. «Кобра» (у масовому виробництві від 1968), перший в СРСР і Європі мікрокалькулятор на 4-х великих І. с. (1970). Того ж року створ. НВО «Кри­стал» — гол. організацію Міністерства електрон. промисловості СРСР з виробництва І. с., — де, зокрема, уперше в Європі роз­почато масове виробництво великих І. с. У цьому ж напрямі працювали згодом створ. обʼ­єд­на­н­ня «Родон» (Івано-Франківськ), «Гравітон» (Чернівці), «Гамма» (Запоріж­жя), «Дні­про» (Херсон), «Жовтень» (Він­ниця). Наук. під­ґрунтя технології І. с. забезпечували вчені Ін­ститутів фізики напів­провід­ників та кібернетики АН УРСР (обидва — Київ), Київ. університету і політех. ін­ституту та ін., зокрема роз­роблено спеціаліз. ЕОМ «Киев 67» та «Киев 70» для автоматизації проектува­н­ня й виготовле­н­ня великих І. с. за допомогою еліон. технології (В. Деркач та ін.). Однак уже на­прикінці 1980-х рр. вітчизн. технології виробництва І. с. значно від­ставали від світових, а після роз­паду СРСР та внаслідок екон. кризи у пост­радян. країнах ця галузь за­знала краху. Див. також Електрон­не приладобудува­н­ня, Мікроелектроніка.

Літ.: Малиновський Б. М. Мікро­електроніка в Україні: Минуле без майбутнього? // Малиновський Б. М. Ві­доме і неві­доме в історії інформаційних технологій в Україні. К., 2004; Прищепа М. М., Погребняк В. П. Мікро­електроніка: У 3-х ч. Ч. 2: Елементи мікросхемотехніки. К., 2006.

О. В. Савченко, С. О. Плахотнюк

Завантажити статтю