Індутний Іван Захарович

ІНДУ́ТНИЙ Іван Захарович (27. 11. 1949, с. Ліпляве Канів. р-ну, нині Черкас. обл.) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1993), професор (1994). Закін. Черкас. пед. інститут (1971). Учителював. Від 1972 — в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1987 — завідувач відділу фотохім. явищ у напівпровідниках. Наукові дослідження: оптика тонких плівок, фотостимульов. перетворення у твердих тілах (зокрема аморф. та скловид.), властивості світлочутливих середовищ.

Пр.: Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл–полупроводник. К., 1992 (співавтор); Reversible photodarkening in As₂S₃ nanolayers // J. Non-Crystalline Solids. 1998. Vol. 227 (співавтор); Application of amorphous chalcogenide films for recording of high-frequency phase-relief diffraction grating // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. Vol. 7, № 3 (співавтор); Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiO_x с включениями нанокристаллов Si // ФТП. 2007. Т. 41, № 10 (співавтор); Band-edge absorption spectroscopy of CdSe/a–SiO_x multilayer nanocomposites // Physica E. 2009. Vol. 41, № 3 (співавтор).

В. М. Томашик

Основні праці

Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл–полупроводник. К., 1992 (співавтор); Reversible photodarkening in As₂S₃ nanolayers // J. Non-Crystalline Solids. 1998. Vol. 227 (співавтор); Application of amorphous chalcogenide films for recording of high-frequency phase-relief diffraction grating // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. Vol. 7, № 3 (співавтор); Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiO_x с включениями нанокристаллов Si // ФТП. 2007. Т. 41, № 10 (співавтор); Band-edge absorption spectroscopy of CdSe/a–SiO_x multilayer nanocomposites // Physica E. 2009. Vol. 41, № 3 (співавтор).