Іжнін Ігор Іванович

ІЖНІ́Н Ігор Іванович (11. 08. 1948, м. Золочів Львів. обл.) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (2007). Закін. Львівський університет (1974), де й працював 1977–87: від 1984 — старший науковий спів­робітник Від 1987 — у НВО «Карат» (Львів): від 2005 — за­ступник нач. від­ділу фізики та технології монокри­стал. матеріалів; за сумісництвом від 1997 — у Нац. університеті «Львівська політехніка»: від 2008 — професор кафедри напів­провід­ник. електроніки. Встановив і узагальнив осн. закономірності модифікації властивостей вузькощілин. твердих роз­чинів CdHgTe у процесі іон­ного травле­н­ня, роз­робив та об­ґрунтував засади його викори­ста­н­ня для формува­н­ня p–n-пере­ходів фотодіодів інфрачервоного діапазону спектра на базі CdHgTe.

Пр.: Mechanism for conversion of the type conductivity in p-Hg_1-xCd_xTe crystals upon bombardment by low-energy ions // Russian Physics J. 2000. Vol. 43, № 8; Релаксація електричних параметрів структур, сформованих іон­ним травле­н­ням у вузькощілин­ному Cd_xHg_1-xTe // Доп. НАНУ. 2004. № 4; Conductivity type conversion in ion-milled p-Hg_1-xCd_xTe: As heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Applied Physics Letters. 2007. Vol. 91, № 13; Ion milling-assisted study of defect structure of acceptor-doped HgCdTe heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Semiconductor Science and Technology. 2008. Vol. 23, № 9; Donor doping of HgCdTe for LWIR and MWIR structures fabricated with ion milling // Там само. 2009. Vol. 24, № 2 (усі — спів­авт.).

В. П. Савчин

Завантажити статтю