Гектін Олександр Вульфович

ГЕ́КТІН Олександр Вульфович (27. 01. 1950, Харків) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1990), член-кореспондент НАНУ (2015). Державна премія України в галузі науки і техніки (2006). Заслужений діяч науки і техніки України (2012). Закін. Харків. університет (1972). Відтоді працює в Наук.-технол. комплексі «Інститут монокристалів» НАНУ (Харків): від 1992 — зав. лаб. дослідж. люмінесценції кристалів, від 1993 — провідний науковий співробітник, від 1995 — заступник директора Н.-д. відділ. лужно-галоїд. кристалів, від 2002 — заступник директора Інституту сцинтиляц. матеріалів. Наукові дослідження у галузях фізики твердого тіла; радіац. фізики, зокрема теорії дислокацій; фізики міцності та пластичності А^ІВ^VII; радіац. фізики діелектриків, люмінесценції, сцинтиляцій. матеріалознавства.

Пр.: The effect of bi- and three-valent cation impurities on luminiscence of CsJ // IEEE Transactions on Nuclear Science. 1995. Vol. 42; Time resolved luminescence spectroscopy of wide bandgap insulators // J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1996. Vol. 79; Radiation damage in pure and Eu-doped LiBaF₃ crystals // IEEE Transactions on Nuclear Science. 1997. Vol. 44; New effective thermoluminescence material: LiCaAlF₆:Ce // Radiation Protection Dosimetry. 2002. Vol. 100, part 1 (співавтор); Crystal Growth Technology. Wiley, 2003 (співавтор).

В. А. Чебанов

Основні праці

The effect of bi- and three-valent cation impurities on luminiscence of CsJ // IEEE Transactions on Nuclear Science. 1995. Vol. 42; Time resolved luminescence spectroscopy of wide bandgap insulators // J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1996. Vol. 79; Radiation damage in pure and Eu-doped LiBaF₃ crystals // IEEE Transactions on Nuclear Science. 1997. Vol. 44; New effective thermoluminescence material: LiCaAlF₆:Ce // Radiation Protection Dosimetry. 2002. Vol. 100, part 1 (співавтор); Crystal Growth Technology. Wiley, 2003 (співавтор).