Корсунська Надія Овсіївна
КО́РСУНСЬКА Надія Овсіївна (10. 09. 1939, Київ) – фізик. Доктор фізико-математичних наук (1986), професор (1996). Держ. премія УРСР у галузі н. і т. (1983). Закін. Чернів. університет (1961). Відтоді працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1989 – провідний науковий співробітник відділу фотоелектрич. явищ у напівпровідниках. Наукові дослідження: нерівноважні електронні процеси, реакції дефектів та дифузія в об’єм. і нанорозмір. напівпровідниках А2В6 і Si. Встановила механізми процесів перетворення дефектів ґратки у напівпровідниках А2В6 під дією випромінювання та ультразвуку.
Пр.: Фотохимические реакции в полупроводниках А2В6 // Физика соединений А2В6. Москва, 1986; Ultrasound stimulated defect reactions in semiconductors // Defect Interaction and Clustering in Semiconductors. Zürich, 2002; Mobile point defects in wide-band gap II–VI semiconductors as a factor of their instability // New Developments in Condensed Matter Physics. New York, 2006; Structure and optical properties of magnetron-sputtered SiOx layers with silicon nanoparticles // Defect and Diffusion Forum. Zürich, 2010. Vol. 303–304 (усі – співавт.).
Л. В. Борковська
Основні праці
Фотохимические реакции в полупроводниках А2В6 // Физика соединений А2В6. Москва, 1986; Ultrasound stimulated defect reactions in semiconductors // Defect Interaction and Clustering in Semiconductors. Zürich, 2002; Mobile point defects in wide-band gap II–VI semiconductors as a factor of their instability // New Developments in Condensed Matter Physics. New York, 2006; Structure and optical properties of magnetron-sputtered SiOx layers with silicon nanoparticles // Defect and Diffusion Forum. Zürich, 2010. Vol. 303–304 (усі – співавт.).