Лашкарьов Вадим Євгенович
ЛАШКАРЬО́В Вадим Євгенович (24. 09(07. 10). 1903, Київ — 01. 12. 1974, там само) — фізик. Батько Г. Лашкарьова. Доктор фізико-математичних наук (1935, без захисту дисертації), професор (1949), академік АН УРСР (1945). Державна премія УРСР у галузі науки і техніки (1981, посмертно). Закінчив Київський ІНО (1924). У 1925–30 працював у Київському політехнічному інституті та одночасно на Науково-дослідній кафедрі фізики АН УРСР; 1930–33 — завідувач відділу рентгенівської і електронної оптики, 1933–35 — зав. лаб. дифракції електронів Ленінградського фіз.-тех. інституту (нині С.-Петербург); 1935–39 — завідувач кафедри фізики Архангельського мед. інституту (1935 був засуджений за сфабрикованою справою до 5-ти років заслання в м. Архангельськ, РФ; реабілітований 1957); у 1929–30 — завідувач відділу рентгенофізики, 1939–60 — завідувач відділу напівпровідників Інституту фізики АН УРСР; 1960–70 — директор Інституту напівпровідників АН УРСР (від 2002 — ім. Л.; обидва — Київ); водночас 1944–52 — завідувач кафедри фізики, 1952–56 — завідувач кафедри напівпровідників Київського університету. 1947–51 — академік-секретар Відділення фізики АН УРСР. Засновник і головний редактор «Українського фізичного журналу» (1956–70). Наукові дослідження стосувалися оптики рентгенівських променів, дифракції електронів, фізики і техніки напівпровідників. Спільно з В. Линником визначив показники заломлення рентгенівських променів для багатьох речовин. Досліджував механізм виникнення фото-ЕРС у оксиді міді (1) і виявив у ньому р-n-перехід; створив фотоелементи з антизапірним шаром. Розвинув уявлення про біполярну дифузію носіїв струму, про роль основних та неосновних носіїв у цьому процесі, про керування процесом дифузії електричним полем. Здійснив цикл робіт з вивчення природи фото-ЕРС у напівпровідниках та їх фотопровідності. Створив теорію конденсаторної фото-ЕРС, відкрив об’ємну фото-ЕРС. 2000 Президією НАНУ заснована премія ім. Лашкарьова.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Дифракция электронов. Ленинград, 1933; Исследование запорного слоя методом термозонда // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1941. T. 5, № 4–5; Эквивалентная схема и структура запорного слоя твердого выпрямителя // ЖТФ. 1945. T. 15, № 9; Возникновение фотоэлектродвижущих сил в полупроводниках // ЖЭТФ. 1948. T. 18, № 10; О природе люминесценции закиси меди // Докл. АН СССР. 1954. Т. 97, № 6 (співавт.); Термическое равновесие электронов на поверхностных и объемных уровнях в полупроводнике // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т. 20, № 12; О канале быстрой рекомбинации на поверхности монокристаллов CdS // ФТТ. 1963. Т. 5, № 12 (співавт.); Определение времени жизни и подвижности неравновесных дырок в монокристаллах сернистого кадмия // Там само. 1967. T. 9, № 2 (співавт.); Неравновесные процессы в фотопроводниках. К., 1981 (співавт.).