Лисенко Володимир Сергійович
Визначення і загальна характеристика
ЛИ́СЕНКО Володимир Сергійович (28. 01. 1940, Київ) — фахівець у галузі фізики напівпровідників. Доктор фізико-математичних наук (1986), професор (1988), член-кореспондент НАНУ (1992). Держ. премія УРСР у галузі н. і т. (1984), премії ім. С. Лебедєва (2004) та ім. В. Лашкарьова (2005) НАНУ. Заслужений діяч науки і техніки України (1998). Закін. Київський університет (1963). Відтоді з перервами працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1983–90 — заступник директора, від 1991 — завідувач відділу фіз.-тех. проблем іонно легованих напівпровідників і багатошар. структур на їх основі. 1972–80 — у Президії АН УРСР; 1992–97 — голова Держ. інновац. фонду України. Напрями наук. діяльності: напівпровідник. мікро- та наноелектроніка, фізика багатофаз. шаруватих систем, фізика радіац. дій на напівпровідник. структури, фіз. основи діагностики мікро-, нано- та оптоелектрон. структур і приладів, технології отримання нових видів нанокомпозит. матеріалів. Відкрив і зʼясував вплив попереч. електростатич. полів на фундам. електрофіз. характеристики високотемператур. напівпровід. керамік (крит. температура напівпровід. переходу, крит. густина струму, крит. магнітне поле та ін.); дослідив роль впливу нанорозмір. перехід. прошарків на межі розділу багатофаз. структур на формування електрон. спектрів станів, тунел. перезарядження яких визначає функціонування транзистор. пристроїв при низьких т-рах; вивчив фіз. явища низькотемператур. відпалів дефектів й активації домішок у імплантов. багатофаз. структурах при нерівноваж. впливах; створив автоматиз. методи діагностики мікро- та наноелектрон. приладів і систем; розробив методи синтезу нових видів нанокомпозит. матеріалів з унікал. властивостями на основі кремній-вуглецевих плівок і карбонов. оксидів кремнію (покриття з високою короз. стійкістю, упр. мех. напруженнями в широких межах, інтенсивна біла люмінесценція максимально близька до природ. білого світла).
Пр.: Electric field effect at the surface of high-temperature semiconductors // J. Phys. IV France. 1998. Vol. 8; Thermally activated processes in the buried oxide of SIMOX SOI structures and devices // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45, № 4; Color control of white photoluminescence from carbon incorporated silicon oxide // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104; The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81; Carrier transfer effect in p-i-n structures with Ge quantum dots // Там само. 2011. Vol. 84; Surface reconstruction and optical absorbtion changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si (100) surface // Semicond. Sci. Technol. 2013. Vol. 28 (усі — співавт.).
Літ.: 70-річчя члена-кореспондента НАН України В. С. Лисенка // Вісн. НАНУ. 2010. № 1.
В. М. Томашик
Додаткові відомості
- Основні праці
- Electric field effect at the surface of high-temperature semiconductors // J. Phys. IV France. 1998. Vol. 8; Thermally activated processes in the buried oxide of SIMOX SOI structures and devices // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45, № 4; Color control of white photoluminescence from carbon incorporated silicon oxide // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104; The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81; Carrier transfer effect in p-i-n structures with Ge quantum dots // Там само. 2011. Vol. 84; Surface reconstruction and optical absorbtion changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si (100) surface // Semicond. Sci. Technol. 2013. Vol. 28 (усі — співавт.).
Рекомендована література
Завантажити статтю
Людина 
