Лісовський Ігор Петрович

ЛІСО́ВСЬКИЙ Ігор Петрович (05. 09. 1947, м. Тюмень, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1999). Закін. Одес. політех. інститут (1970). Від 1972 (з перервою) працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 2002 — провідний науковий співробітник відділу фізики поверхні та мікроелектроніки. 1981–85 — науковий співробітник Президії АН УРСР. Наукові дослідження: мікро- та макроелектоніка, інжекція гарячих носіїв струму в системах метал–діелектрик–напівпровідник, розвинення методу ін­фрачервоної спектроскопії для вивчення складу та структури склоподіб. кремній-кисневої фази, фазово-структурні перетворення в плівках оксидів кремнію.

Пр.: IR spectroscopic investigation of SiO2 film structure // Thin Solid Films. 1992. Vol. 213 (спів­авт.); Field mechanism of defect generation at Si-SiO2 interface under hot electron injection // J. Non-Cryst. Solids. 1995. Vol. 187 (спів­авт.); Аналіз структурного стану кисню в кремнії методом комп’ютерної інфрачервоної спектроскопії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 9; Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок // Физ. и тех. полупроводники. 2003. Т. 37, вып. 1 (спів­авт.); Characterization of oblique deposited nanostructured SiOx films by ellipsometric and IR spectroscopies // Solid State Phenomena. 2010. Vol. 159 (спів­авт.); Mechanisms of oxygen precipi­tation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals // J. Electrochem. Soc. 2011. Vol. 158, № 8 (спів­авт.).

В. М. Томашик

Основні праці

IR spectroscopic investigation of SiO2 film structure // Thin Solid Films. 1992. Vol. 213 (спів­авт.); Field mechanism of defect generation at Si-SiO2 interface under hot electron injection // J. Non-Cryst. Solids. 1995. Vol. 187 (спів­авт.); Аналіз структурного стану кисню в кремнії методом комп’ютерної інфрачервоної спектроскопії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 9; Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок // Физ. и тех. полупроводники. 2003. Т. 37, вып. 1 (спів­авт.); Characterization of oblique deposited nanostructured SiOx films by ellipsometric and IR spectroscopies // Solid State Phenomena. 2010. Vol. 159 (спів­авт.); Mechanisms of oxygen precipi­tation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals // J. Electrochem. Soc. 2011. Vol. 158, № 8 (спів­авт.).

завантажити статтю