ЕНЦИКЛОПЕДІЯ
СУЧАСНОЇ УКРАЇНИ
Encyclopedia of Modern Ukraine

Розмір шрифту

A

Лісовський Ігор Петрович

ЛІСО́ВСЬКИЙ Ігор Петрович (05. 09. 1947, м. Тюмень, РФ) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1999). Закін. Одес. політех. інститут (1970). Від 1972 (з перервою) працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 2002 — провідний науковий співробітник відділу фізики поверхні та мікроелектроніки. 1981–85 — науковий співробітник Президії АН УРСР. Наукові дослідження: мікро- та макроелектоніка, інжекція гарячих носіїв струму в системах метал–діелектрик–напівпровідник, розвинення методу ін­фрачервоної спектроскопії для вивчення складу та структури склоподіб. кремній-кисневої фази, фазово-структурні перетворення в плівках оксидів кремнію.

Пр.: IR spectroscopic investigation of SiO2 film structure // Thin Solid Films. 1992. Vol. 213 (спів­авт.); Field mechanism of defect generation at Si-SiO2 interface under hot electron injection // J. Non-Cryst. Solids. 1995. Vol. 187 (спів­авт.); Аналіз структурного стану кисню в кремнії методом комп’ютерної інфрачервоної спектроскопії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 9; Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок // Физ. и тех. полупроводники. 2003. Т. 37, вып. 1 (спів­авт.); Characterization of oblique deposited nanostructured SiOx films by ellipsometric and IR spectroscopies // Solid State Phenomena. 2010. Vol. 159 (спів­авт.); Mechanisms of oxygen precipi­tation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals // J. Electrochem. Soc. 2011. Vol. 158, № 8 (спів­авт.).

В. М. Томашик

Основні праці

IR spectroscopic investigation of SiO2 film structure // Thin Solid Films. 1992. Vol. 213 (спів­авт.); Field mechanism of defect generation at Si-SiO2 interface under hot electron injection // J. Non-Cryst. Solids. 1995. Vol. 187 (спів­авт.); Аналіз структурного стану кисню в кремнії методом комп’ютерної інфрачервоної спектроскопії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 9; Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок // Физ. и тех. полупроводники. 2003. Т. 37, вып. 1 (спів­авт.); Characterization of oblique deposited nanostructured SiOx films by ellipsometric and IR spectroscopies // Solid State Phenomena. 2010. Vol. 159 (спів­авт.); Mechanisms of oxygen precipi­tation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals // J. Electrochem. Soc. 2011. Vol. 158, № 8 (спів­авт.).

завантажити статтю

Інформація про статтю


Автор:
Авторські права:
Cтаттю захищено авторським правом згідно з чинним законодавством України. Докладніше див. розділ Умови та правила користування електронною версією «Енциклопедії Сучасної України»
Том ЕСУ:
17-й
Дата виходу друком тому:
Дата останньої редакції статті:
груд. 2016
Тематичний розділ сайту:
Ключове слово:
EMUIDідентифікатор статті на сайті ЕСУ
55706
Вплив статті на популяризацію знань:
22

Лісовський Ігор Петрович / В. М. Томашик // Енциклопедія Сучасної України [Електронний ресурс] / редкол. : І. М. Дзюба, А. І. Жуковський, М. Г. Железняк [та ін.] ; НАН України, НТШ. – Київ: Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2016. – Режим доступу : https://esu.com.ua/article-55706

Lisovskyi Ihor Petrovych / V. M. Tomashyk // Encyclopedia of Modern Ukraine [Online] / Eds. : I. М. Dziuba, A. I. Zhukovsky, M. H. Zhelezniak [et al.] ; National Academy of Sciences of Ukraine, Shevchenko Scientific Society. – Kyiv : The NASU institute of Encyclopedic Research, 2016. – Available at : https://esu.com.ua/article-55706

Завантажити бібліографічний опис

Схожі статті

Шимчак
Людина  |  2025
Р. М. Пляцко
Лискович
Людина  |  Том 17  |  2016
П. М. Якібчук
Шапіро
Людина  |  2024
Ю. М. Ранюк

ВСІ СТАТТІ ЗА АБЕТКОЮ

Нагорунагору