Коломоєць Володимир Васильович

КОЛОМО́ЄЦЬ Володимир Васильович (20. 08. 1938, м. Джетигара, Казахстан) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1986), професор (2003). Закін. Урал. політех. інститут (м. Свердловськ, нині Єкатеринбург, РФ; 1960). Працював в Інституті фізики Дагестан. філії АН СРСР (м. Махачкала, 1961–68); від 1971 — в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 1986 — провідний науковий співробітник лаб. електрич. та гальваномагніт. властивостей напівпровідників. Вивчає електрофіз. властивості напівпровідників при екстрем. умовах експерименту. Під керівництвом К. створ. установку сильних тисків для кристалів кремнію до 6–7 ГПа, за допомогою якої визначено низку параметрів для зони провідності кремнію та германію. Дослідив перебудову зонного спектра при сильних одновіс. деформаціях та запропонував методи визначення фундам. параметрів напівпровідників.

Пр.: Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. К., 1977; Silicon and germanium energy bands transformation under high uniaxial stress // Proceedings of 20th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Vol. 3. Thessaloniki, 1990; Application of piezoresistance effect in highly uniaxially strained p–Si and n–Si for current-carrier mobility increase // Phys. Stat. Sol. B. 2009. Vol. 246, № 3; Current сarriers transport in high uniaxially strained silicon // AIP Conf. Proceedings. 2010. Vol. 1199 (усі — співавт.).

В. А. Шендеровський

Основні праці

Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. К., 1977; Silicon and germanium energy bands transformation under high uniaxial stress // Proceedings of 20th Intern. Conf. on Physics of Semiconductors. Vol. 3. Thessaloniki, 1990; Application of piezoresistance effect in highly uniaxially strained p–Si and n–Si for current-carrier mobility increase // Phys. Stat. Sol. B. 2009. Vol. 246, № 3; Current сarriers transport in high uniaxially strained silicon // AIP Conf. Proceedings. 2010. Vol. 1199 (усі – співавт.).