Лук’янчикова Наталія Борисівна
Визначення і загальна характеристика
ЛУКʼЯ́НЧИКОВА Наталія Борисівна (21. 07. 1937, Київ — 31. 10. 2011, там само) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1977), професор (1991). Державна премія України у галузі н. і т. (1995). Закін. Київ. політех. інститут (1960). Відтоді працювала в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1990–97 — зав. лаб. флуктуац. явищ у напівпровідниках, 1997–2009 — завідувач відділу розробки і флуктуац. аналізу напівпровідник. матеріалів і структур, 2009–11 — гол. н. с. Досліджувала природу 1f шуму, механізми флуктуацій у фотопровідниках, світлодіодах, інжекцій. лазерах, фотодіодах, електрохім. комірках, лавинно-проліт. діодах, лавин. фотодіодах, біполяр., польових та МОН (метал–оксид–напівпровідник) транзисторах, а також механізми деградації напівпровідник. приладів.
Пр.: Флуктуационные явлення в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, 1990; Noise Research іn Semiconductor Physics. London, 1996; High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs // Solid-State Electronics. 2008. Vol. 52, № 5 (співавт.); LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/ SiO2 gate dielectric // Там само. 2011. Vol. 63, № 1 (співавт.); Drain currents and their excess noise in triple gate bulk p-channel FinFETs of different geometry // Microelectronics Reliability. 2013. Vol. 53, № 3 (співавт.).
В. М. Томашик
Додаткові відомості
- Основні праці
- Флуктуационные явлення в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, 1990; Noise Research іn Semiconductor Physics. London, 1996; High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs // Solid-State Electronics. 2008. Vol. 52, № 5 (співавт.); LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/ SiO2 gate dielectric // Там само. 2011. Vol. 63, № 1 (співавт.); Drain currents and their excess noise in triple gate bulk p-channel FinFETs of different geometry // Microelectronics Reliability. 2013. Vol. 53, № 3 (співавт.).
Завантажити статтю
Людина 
