Лук’янчикова Наталія Борисівна

ЛУК’Я́НЧИКОВА Наталія Борисівна (21. 07. 1937, Київ – 31. 10. 2011, там само) – фізик. Доктор фізико-математичних наук (1977), професор (1991). Державна премія Укра­їни у галузі н. і т. (1995). Закін. Київ. політех. інститут (1960). Відтоді працювала в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): 1990–97 – зав. лаб. флуктуац. явищ у напівпровідниках, 1997–2009 – завідувач відділу розробки і флуктуац. ана­лізу напівпровідник. матеріалів і структур, 2009–11 – гол. н. с. Досліджувала природу 1f шуму, механізми флуктуацій у фотопровідниках, світлодіодах, інжекцій. лазерах, фотодіодах, електрохім. комірках, лавинно-проліт. діодах, лавин. фотодіодах, біполяр., польових та МОН (метал–оксид–напівпровідник) тран­зи­сторах, а також механізми деградації напівпровідник. приладів.

Пр.: Флуктуационные явлення в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, 1990; Noise Re­se­arch іn Semiconductor Physics. London, 1996; High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs // Solid-State Electronics. 2008. Vol. 52, № 5 (спів­авт.); LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/ SiO2 gate dielec­tric // Там само. 2011. Vol. 63, № 1 (спів­авт.); Drain currents and their excess noise in triple gate bulk p-channel FinFETs of different geometry // Microelectronics Reliability. 2013. Vol. 53, № 3 (спів­авт.).

В. М. Томашик

Основні праці

Флуктуационные явлення в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, 1990; Noise Re­se­arch іn Semiconductor Physics. London, 1996; High gate voltage drain current leveling off and its low-frequency noise in 65 nm fully-depleted strained and non-strained SOI nMOSFETs // Solid-State Electronics. 2008. Vol. 52, № 5 (спів­авт.); LKE and BGI Lorentzian noise in strained and non-strained tri-gate SOI FinFETs with HfSiON/ SiO2 gate dielec­tric // Там само. 2011. Vol. 63, № 1 (спів­авт.); Drain currents and their excess noise in triple gate bulk p-channel FinFETs of different geometry // Microelectronics Reliability. 2013. Vol. 53, № 3 (спів­авт.).

завантажити статтю