Москвін Павло Петрович
Визначення і загальна характеристика
МОСКВІ́Н Павло Петрович (09. 12. 1956, Житомир) — фізик. Доктор фізико-математичних наук (1999), професор (2000). Закін. Ленінгр. електротех. інститут (нині С.-Петербург; 1980), де 1983–85 й працював. 1985–95 — у НДІ «Домен» (С.-Петербург); від 1995 — у Житомир. технол. університеті: 1999–2002 — проф., 2002–15 — завідувач кафедри фізики, від 2015 — завідувач кафедри фізики та вищої математики. Наукові дослідження: термодинаміка напівпровідників і напівпровідник. матеріалознавство; розроблення матем. моделей упр. технол. процесами отримання склад. напівпровідник. структур для оптоелектрон. приладів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Mass transfr during growth of Ga-In-P-As solid Solution in the equilibriumcooling growth technique // Crustal Research and Technology. 1985. Vol. 20, № 5; Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворах. Москва, 1991; Фазова рівновага між скривленою поверхнею кристалітів та їх власним розплавом в системі барій–стронцій–залізо–кисень // Вісн. Київ. університету. 1998. Вип. 1; Мультифрактальная параметризация пространственных форм на поверхности гетерокомпозиций ZnxCd1-х–Te — Si(111) и ее взаимосвязь с условиями синтеза слоев // ЖФХ. 2014. Т. 88, № 7–8 (співавт.); Multifractal Parameterization of Space Forms on Surfaces of ZnxCd1-х–Te–Si(111) Heterocompositions and Its Relationship to the Conditions of Layer Synthesis // Russian J. Physical Chemistry A. 2014. Vol. 88, № 8 (співавт.); Multifractal analysis of areas of spatial forms on surface of ZnxCd1-х–Te–Si(111) heterocompositions // J. Crystal Growth. 2014. Vol. 404 (співавт.).