Нанотехнології

НАНОТЕХНОЛО́ГІЇ (від нано... та технологія). Нині не­має єдиного ви­значе­н­ня чи стандарту щодо Н. Зважаючи на те, що роз­робки, які за­звичай належать до цього наук. напряму, мають у багатьох випадках між­дисциплінар. характер, по­єд­нуючи в собі особливості різних галузей науки і техніки, таку всеохоплювал. дефініцію буде складно зробити і в майбутньому. Згідно з пропозиціями International Orga­nization for Standardization (ISO), Н. варто вважати умі­н­ня керувати процесами в нанометр. мас­­штабі в одному, двох чи трьох вимірах за умови, що введе­н­ня в дію такого роз­мір. ефекту чи явища призводить до можливості нових практ. за­стосувань, а також викори­ста­н­ня властивостей обʼєк­тів та матеріалів у нанометр. мас­­штабі. Вони від­різняються як від ознак вільних атомів або молекул, так від обʼєм. властивостей речовини, що складається з цих атомів або молекул, для створен­ня досконаліших матеріалів, при­ладів, систем, що реалізують ці властивості.

Історія власне Н. нараховує понад 30 р., починаючи від 1986, коли після виходу в світ ві­домої книги амер. вченого Е. Дрекслера — «Engines of Creation: The Co­ming Era of Nanotechnology» («Ма­шини творе­н­ня: Ера нанотехнологій, що гряде») термін «нанотехнологія» набув широкого вжит­ку. Вважають, що геніал. наук. про­роцтвом появи ниніш. Н. ста­ли тепер уже знамениті слова видат. амер. фізика-теоретика, лауреата Нобелів. премії Р. Фейн­мана, виголошені ним у грудні 1959 на щоріч. засі­дан­ні Амер. фіз. товариства у доповіді-лекції («There is plenty of room at the bottom: an invitation to enter a new field of phy­sics» / «Внизу багато місця: За­про­ше­н­ня увійти в нову область фізики»), в якій він уперше перед­бачив можливість викори­ста­н­ня атомів як звичай. буд. матеріалу, за­значивши, що жоден фіз. чи хім. закон не пере­шкоджає нам змінювати взаємне роз­ташува­н­ня атомів і що в майбутньому можна буде маніпулювати окремими атомами, як предметами. Це пере­гукується з ро­зумі­н­ням Н. дир. Ін­ституту нанотехнологій США Ч. Мір­кіним, який вважає, що «нанотех­нології пере­будують усі матеріали заново. Всі матеріали, отримані за допомогою молекулярного ви­робництва, будуть новими, ос­кіль­ки до цього часу в людства не було можливості роз­робляти й виготовляти нано­структури. Нині ми використовуємо в промисловос­ті тільки те, що нам дає природа. З дерева ми робимо дошки, з про­відного матеріалу — дроти. Нано­технологічний під­хід полягає в тому, що ми будемо пере­робляти практично будь-які природні ресурси у так звані “будівельні блоки”, які становитимуть основу май­бутньої технології». На практиці Н. як одна з провід. галузей сучас. науки й виробництва сформувалися в остан. чв. 20 ст. з появою сучас. зонд. мікро­скопів — сканувал. тунельного та атом. силового — і від­тоді стрімко роз­вивають­ся. Сканувал. зонд. мікро­скопи використовують для ви­вче­н­ня поверх­ні матеріалів на атом. рівні. Їхній осн. робочий елемент — загострена голка-зонд, що від­­сте­жує й записує най­дрібніші змі­ни властивостей поверх­ні обʼєк­та, яку досліджують, що до­зволяє з високим роз­діле­н­ням отримати її тривимірне зображе­н­ня, топо­­графію. Першим прототипом ска­нувал. зонд. мікро­скопа був скану­вал. тунел. мікро­скоп, створ. 1981 спів­роб. компанії ІВМ нім. (Ґ. Бін­нінґ) та швейцар. (Г. Рорер) фізиками (Нобелівська премія, 1986). Цей винахід значно роз­ширив поле для Н., надавши можливість не лише ві­зуалізувати окремі атоми, а й ма­ніпулювати ними, пере­міщувати в потріб. напрямах на необхідні від­­­стані, що на практиці вперше було під­тверджено 1989, коли з ви­кори­ста­н­ням 35 атомів інерт. газу ксенону, точно роз­міщених на поверх­ні кри­стала нікелю, була за­писана назва фірми IBM. Атомно-­силовий мікро­скоп, вина­йдений через 5 р., доповнив можливості сканувал. зонд. мікро­скопа дослі­джувати рельєф поверх­ні з роз­діл. здатністю аж до атом. рівня на не­провід­ні обʼєкти.

Нанотехнології 2D структур. Н. — це на­ступний, логіч. крок роз­­витку електроніки та ін. наукоєм. галузей. Н., що широко використовують для потреб електроніки, це, насамперед, технології формува­н­ня 2D структур — квантово-роз­мір. шарів та їх композицій. Зна­ковими пред­ставниками цих технологій є молекулярно-промен. епі­таксія (МПЕ) та газофазна епі­таксія з металоорган. сполук і гід­ридів (МОС гідридна епітаксія). МПЕ є одним із різновидів газофаз. епітаксії, придатним для нарощува­н­ня тонких шарів будь-яких матеріалів — напів­провід­ників, металів чи ді­електриків. Матеріал для росту епітаксій. шару в методі МПЕ до­ставляють на по­верх­ню під­кладки за рахунок молекуляр. або атомар. пучків хім. елементів, які створюють терміч. способом за допомогою ефузій. комірок Кнудсена. Ріст кри­сталіч. шару при МПЕ від­бувається на чи­стій поверх­ні за повністю кон­трольов. умов надвисокого вакууму. Принципи МПЕ формувалися по­ступово. 1964 за допомогою мо­лекуляр. пучків були отримані до­сконалі плівки сірчаного свинцю PbS на монокри­сталіч. під­кладці камʼяної солі NaCl. Через 4 р. з молекуляр. пучків в умовах високого вакууму були вирощені епітаксійні плівки GaAs на монокри­сталіч. під­кладках арсеніду галію. Роз­виток МПЕ в її ниніш. ро­зумін­ні роз­почався в 1970-і рр. зі створе­н­ням і пром. виробництвом від­повід. вакуум. устаткува­н­ня. Найважливішими від­мін­ностями МПЕ від ін. методик нарощува­н­ня тонких шарів у вакуумі, що існу­вали до неї, є не­зрівнян­но вищий рівень контролю потоків речовини, що подаються на під­кладку, і високий рівень контролю умов конденсації та властивостей нарощуваних тонких плівок без­посередньо в процесі епітаксії. Як технол. метод вирощува­н­ня тонких епітаксій. шарів різних матеріалів МПЕ характеризують не­значні (порядку 1 мкм/год.) швид­кості росту плівок; від­носно низь­кі температури росту плівки; можливість різко пере­ривати й поновлювати ріст плівки за рахунок викори­ста­н­ня мех. заслінок побл. джерел потоків усіх компонентів; можливість керувати концентрацією домішок за допомогою введе­н­ня в зруч. спосіб додатк. джерел, що створюють необхідні молекулярні пучки; можливість аналізу хім. складу плівки без­посередньо під час росту. Пере­раховані позитивні риси методу МПЕ дають змогу створювати за його допомогою придатні для приклад. за­стосувань епітаксійні структури на ос­нові елементар. напів­провід­ників, їх хім. сполук і твердих роз­чинів та до­зволяють вирішувати такі най­важливіші задачі, як отрима­н­ня монокри­сталіч. шарів високої чистоти — за рахунок росту в надвисокому вакуумі та високої чистоти вихід. потоків речовини; вирощува­н­ня надтонких структур із різкими змінами складу на границях — за рахунок від­носно невисоких т-р росту, що пере­шкоджають взаєм. дифузії; отрима­н­ня гладких без­дефект. поверхонь для гетероепітаксії — за рахунок механізму росту сходинками, що унеможливлює утворе­н­ня зарод­ків; отрима­н­ня надтонких шарів із контрольов. товщиною — за рахунок точності керува­н­ня потоками і від­носно малих швидкостей росту; створе­н­ня структур зі склад. профілями складу і (або) легува­н­ня; створе­н­ня структур із за­даними внутр. напругами роз­тягу чи стиску, що можуть знімати виродже­н­ня енергет. спектра в потріб. точках зони Брі­л­люена, локально модифікуючи зонну структуру, тобто вирішувати задачі т. зв. зон­ної інженерії. Ви­значал. ознакою МОС гідрид. епітаксії як одного з різновидів газофаз. епітаксії є викори­ста­н­ня в технол. процесі вирощува­н­ня тонких шарів як джерел елементів росту металоорган. сполук та гідридів. Гідриди — це сполуки різних елементів із воднем, а термін «металоорганіка» обʼ­єд­нує широкий клас речовин, що містять звʼязки метал-карбон (т. зв. металоорган. сполуки) або звʼяз­ки метал-карбон-кисень (т. зв. алк­оксиди). Для транс­портува­н­ня цих ре­агентів у зону росту плівки використовується газ-носій, який по­винен бути чистим і не вступати в реакцію з під­кладкою та плівкою, що росте. Нині в ролі такого носія в установках МОС гідрид. епітаксії використовують пере­важно водень як найчистіший із газів, які дає змо­гу отримувати сучасна пром-сть. Метод МОС гідрид. епітаксії бере свій початок від 1968, коли вперше було показано, що, роз­кладаючи газову суміш триметилгалію Ga(CH3)3 і гідриду мишʼяку AsH₃ в атмо­сфері водню H₂ за температури 600–700 °С, можна вирощувати тонкі епітаксійні плівки GaAs у від­критому реакторі проточ. типу. Фіз. принцип МОС гідрид. епітаксії полягає в на­ступному. За допомогою водню, який продувається через реактор для росту тонких епі­таксій. шарів, де роз­міщені під­кладки, до остан­ніх подають чітко ви­значені кількості (потоки) ме­та­лоорган. і гідрид. сполук необхід. елементів. Під­кладка на­грівається до температури, за якої металоорганіка та гідриди діляться на складові, тобто від­бувається піроліз. У зоні піролізу ви­окремлюються необхідні для росту епітаксій. шару елементи, що, взаємодіючи з під­кладкою та між собою, спричиня­ють ріст плівки на поверх­ні під­кладки. Металоорган. сполуки, які становлять інтерес для вирощува­н­ня напів­провід­ник. структур, за кімнат. температури здебільшого є рідинами, хоча деякі з них знаходяться у твердому стані. Ці речовини мають пере­важно високі тис­ки парів і легко можуть бути до­ставлені в зону реакції пропуска­н­ням газу-носія через рідину або над поверх­нею твердого тіла, що ві­ді­грають роль джерела металоорганіки. Гідриди, які використовують для росту напів­провід­ник. структур, за кімнат. температури є газами, їх за­стосовують пере­важно як невеликі добавки до H₂. Нанотехнології 1D і 0D структур. По­єд­нуючи можливості МПЕ і МОС гідрид. епітаксії нарощувати квантово-роз­мірні епітаксійні шари з різним ступенем узгодже­н­ня шару та під­кладки за параметром кри­сталіч. ґратки, формують нано­структури на­ступ. низькорозмір. генерацій — 1D структури (квант. нитки) і 0D структури (квант. точки). Якщо узгодже­н­ня параметрів добре, спочатку на під­кладку нарощують досконалий квантово-роз­мір. епітаксій. шар, а потім роз­діляють його на квант. нитки або точки, за­стосовуючи наноліто­графію. Найчастіше використовують EUV-літо­графію (Extre­me Ultra Violet lithography) — літо­графію в спектрі жорсткого ультрафіолету, що забезпечує роз­дільну здатність краще 70 нм, сканувал. електрон­ну та лазерну інтер­ференц. літо­графію. Інтерферен­цією 2-х лазер. променів отри­мують одновимірно упорядк. масиви паралел. квант. ниток, суперпозицією 3-х або 4-х лазер. променів — упорядк. ансамблі квант. точок із трикут. і квадрат. симетрією від­повід­но. Для того, щоб знизити концентрацію дефектів під час виготовле­н­ня масивів квант. ниток і точок, використовують ефекти самоорганізації. У випадку квант. ниток самоорганізацію реалізують, використовуючи як під­кладку пластину з віцинальною (слабо нахиленою до однієї з осн. кри­сталогр. площин) поверх­нею. При нанесен­ні на віцинальну поверх­ню невеликої кількості матеріалу, що добре узгоджується з під­кладкою за параметром кри­сталіч. ґратки, він, від­повід­но до принципу мінімуму поверхн. енергії системи, формує на під­кладці не плоский епітаксій. шар, що по­вторює поверх­ню під­кладки, а хвилясту, профільов. періодичну структуру, «під­ніж­жя» уступів якої в подальшому використовують для нарощува­н­ня масиву квант. ниток. Для реалізації формува­н­ня масивів квант. точок із викори­ста­н­ням ефекту самоорганізації, навпаки, як поверх­ню під­кладки використовують одну з осн. кри­сталогр. площин, але за поганої збіжності параметрів ґратки під­кладки й матеріалу, що осаджується. Тоді гетероепітаксій. ріст на під­кладці ре­алізується від­повід­но до режиму Странс­ького–Кра­станова та завершується, при правил. дотриман­ні режимів осадже­н­ня, формува­н­ням досконалого масиву нано­структур типу квант. точок.

Зондові нанотехнології. Новіт. на­прям технології формува­н­ня квант. точок, що нині роз­вивається, — це т. зв. зонд. Н., формува­н­ня нанометр. обʼєктів за допомогою зонда сканувал. тунел. мікро­скопа чи кантилевера атомно-силового мік­ро­скопа. Зонд. Н. можна означити як певну послідовність способів та при­йомів позиціонува­н­ня, формува­н­ня й модифікації елементів нанометр. роз­мірів, зокрема окремих атомів та молекул, на поверх­ні під­кладок із допомогою зонда-наконечника, при цьому маючи можливість одночасної їх візуалізації й контролю. Є всі під­стави вважати, що в майбутньому зонд. технології використовуватимуть для збира­н­ня унікал. нано­електрон. схем чи створе­н­ня терабіт. при­строїв памʼяті.

Нанотехнології нанорозмірних алотропних модифікацій карбону. Ін. важливий напрям Н. — технології створе­н­ня нанорозмір. алотроп. модифікацій карбону: фу­леренів, карбонових нанотрубок і графену. Фулеренами називають карбон. багатоатомні молекули із заг. формулою Cn (n — парне число), в яких атоми карбону роз­міщуються на поверх­ні випуклого за­мкненого каркас. багато­гран­ника сферич. або сфероїдал. типу. Вони володіють різною стабільністю, а отже, і різними пер­спективами практ. викори­ста­н­ня. Найбільш стабільним є фулерен С₆₀, що має форму зрізаного ікоса­едра — фігури, обмеженої 20-ма шестикутниками та 12-ма пʼяти­кутниками. Кожен із шестикутників С₆₀ межує із 3-ма пʼяти­кут­никами і 3-ма шестикутниками. Пʼятикутники без­посередньо між собою не контактують, кожен із них межує лише із шестикутниками. На поверх­ні сфери у вершинах зрізаного ікосаедра атоми молекули С₆₀ за­ймають абсолютно еквівалентні позиції, мають по 3 най­ближчих сусіди, утворюють із ними два одинарні С–С та один по­двій­ний С=С звʼязки. У пʼятикут­никах хім. звʼязки між атомами карбону одинарні, у шестикутниках — почергово одинарні та по­­двій­ні. Радіус молекули С₆₀ згідно з даними рентґено­структур. аналізу становить 0,357 нм. Для одержа­н­ня фулеренів у кількостях, до­статніх для ви­вче­н­ня їхніх властивостей та практ. за­стосува­н­ня, вирішують чотири­єдину задачу забезпече­н­ня: умов створе­н­ня і конденсації пари карбону, за яких у продуктах конденсації утворювалися б каркасні структури багатоатом. карбон. молекул; ефектив. взаємодії між карбон. молекулами для збагаче­н­ня продуктів конденсації пари карбону стабіл. фулеренами, насамперед фулереном С₆₀; ефектив. екс­тракції фулеренів із продуктів конденсації карбон. пари; сепарува­н­ня екс­трагов. фулеренів Cn на фракції з різними значе­н­нями масового числа n. За­мкнені карбон. каркасні нано­структури отримують випаровува­н­ням графіту, синтезом у полумʼї електр. дуги, спалюва­н­ням вуглеводнів. Для збагаче­н­ня продуктів синтезу найбільш стабільним фулереном С₆₀ використовують їх роз­чине­н­ня в неполяр. роз­чин­никах при високих (900 К) т-рах. Най­ефективніші методики екс­тракції та сепарува­н­ня фулеренів базуються на викори­стан­ні ароматич. роз­чин­ників і сорбентів. Сепарація фулеренів за їх масовими числами ґрунтується на принципах рідин. хромато­графії. Карбонові нанотрубки — квазіоднови­мірні багатоатомні одно- або багатошарові карбон. циліндричні молекули з від­критими чи закритими кінцями, діаметр яких коливається в межах від частки до декількох нанометрів, а довжина є знач­но більшою за діаметр і може ко­ливатися від десятків-сотень нанометрів до десятків мікрометрів. Зовн. діаметр багатошар. нанотрубок — у межах 2,5–100 нм, одношарових — 0,6–2,4 нм, хоча діаметр найтоншої трубки, що асоціюється з найменшим із можливих фулеренів С20, дорівнює прибл. 0,4 нм. Нанотрубки можна роз­глядати як гранич. випадок молекул фулеренів, довжина по­здовж. осі яких значно пере­важає їхній діаметр. Карбон. нанотрубки утворюються при високих т-рах у результаті специф. хім. пере­творень широкого спектра матеріалів, що містять карбон. Типовими й найбільш поширеними методами вирощува­н­ня карбон. нанотрубок є роз­пороше­н­ня графіту в полумʼї електр. дуги; роз­пороше­н­ня графіту під впливом лазер. ви­промінюва­н­ня; каталітич. роз­клад вуглеводнів. Ефектив. шляхом подальшого роз­витку технології отрима­н­ня карбон. нанотрубок із за­даними характеристиками є за­стосува­н­ня каталізаторів. Найбільші сподіва­н­ня щодо технології створе­н­ня карбон. нанотрубок, яка в майбутньому могла б мати навіть пром. пер­спективи, повʼязують із технологією реакцій термохім. роз­кладу карбоновміс. сполук, що протікають на поверх­ні метал. каталізаторів, нанесених на під­кладку — піролітич. роз­кладу вуглеводнів у присутності каталізатора. Вона до­зволяє без­посередньо синтезувати ізольовані й від­носно чисті одностін­ні карбон. нанотрубки. Для отрима­н­ня нанотрубок необхідно також вирішувати задачі їх від­діле­н­ня від наночастинок метал. каталізаторів та окислів; від­діле­н­ня нанотрубок однієї від іншої, а також від ін. карбон. компонентів продуктів синтезу; роз­діле­н­ня нанотрубок за роз­мірами. Графен — це кри­сталічна одношарова 2D карбон. структура, атоми якої формують плоску гексагонал. ґратку, притаман­ну моноатом. шару графіту. Можливості синтезу й існува­н­ня 2D структур ускладнюються фундам. обмежен­нями, які накладають теплові флук­туації, що зростають із під­вище­н­ням температури. Щоб оминути цю проб­лему, 2D структури синтезують при високих т-рах, як складові частини 3D структур, із подальшим їх виділе­н­ням із цих структур при низькій т-рі. Флуктуації, що мали б сильно зро­стати за високих т-р, гасяться в процесі такого синтезу завдяки взаємодії із 3D матрицею. Виділе­н­ня ж 2D кри­сталів від­бувається при низьких т-рах, за яких флуктуації сут­тєво при­глушені. Най­простіша реалізація методу високотемператур. синтезу масив. кри­сталів і низькотемператур. ви­окремле­н­ня з них 2D шарів у за­стосуван­ні до графену полягає у викори­стан­ні графіт. стержнів і роз­шаруван­ні їх на індивід. площини моноатом. товщини. На цьому базується принцип широко­­вживаної техніки формува­н­ня шарів графену, яку за­звичай називають технікою мікромех. сколюва­н­ня, або скотч-методом. Ін. спо­сіб роз­шарува­н­ня графіту на окремі графен. шари базується на викори­стан­ні поверхн.-актив. орган. рідин, обробле­н­ня графіту якими призводить до проникне­н­ня атомів чи молекул різної природи в проміжки між його шарами. Від­стань між шарами збільшується, сили звʼязку між ними слабнуть, у результаті чого роз­шарува­н­ня графіту шляхом мех. впливу полегшується. Графен може бути синтезований також методом хім. осадже­н­ня пари на придатну під­кладку, яка, крім основи для осадже­н­ня, ві­ді­гравала б роль каталізатора. Таким каталізатором може бути, напр., нікель, мідь чи ін. метали. Цим методом можна синтезувати зразки моношарів графену попереч. роз­мірів порядку 1 см, що в десятки й сотні разів більше, ніж роз­міри аналог. зразків, отримуваних ін. методами. Як й інші поверхн. структури карбону — фулерени й нанотрубки, графен може бути отриманий за допомогою дугового роз­ряду між графіт. стержнями в атмо­сфері інерт. газу, а також шляхом терміч. роз­кладу карбіду кремнію, в результаті якого графен. плівка епітаксійно наро­стає на поверх­ні кри­стала SiC. Нанотехнології у виготовлен­ні транзисторів. Від­повід­ні технології роз­виваються, насамперед, у напрямі мініатюризації транзисторів для задоволе­н­ня потреб обчислювальної техніки. Нині транзистори виготовляють за технологією 90 нм. Уже заплановано й реалізують мініатюризацію електрон. компонентів до 60, 45 і 30 нм. Сучасні межі мініатюризації — функціонал. одно­електрон­ні транзистори. Одно­електрон. транзистор працює на основі явища кулонів. блокади. Пере­міще­н­ня електронів у такому транзисторі від­бувається шляхом тунелюва­н­ня. Час тунелюва­н­ня електрона малий, від­повід­но швидкодія одно­електрон. транзистора дуже висока, за оцінками — сотні терагерц. Робота, необхідна для пере­міще­н­ня одного електрона, також мала, а отже, малим є й енерго­­спожива­н­ня одно­електрон. при­строїв — за оцінками 3∙10^-8 Вт. Одно­електрон. транзистор може знаходитися у двох станах — або в ста­ні кулонів. блокади, або в провід. стані. Це до­зволяє роз­робляти на його основі при­строї, що можуть служити комірками компʼютер. памʼяті. Вже створ. одно­електрон­ні транзистори на основі графену. Ідея базується на тому, що графен. нано­структури є стабільними до дійсно нанометр. роз­мірів, аж до окремо взятого гексагонал. кільця. Ще одна пере­вага графену для формува­н­ня електр. схем на одно­електрон. транзисторах полягає в тому, що всі важливі їх складові, зокрема квант. точки, провід­ні ка­нали, квант. барʼєри й між­елементні зʼ­єд­на­н­ня, можуть виготовляти, використовуючи лише графен. шар. Структуру формують за допомогою електрон. літо­графії та сухого травле­н­ня з графен. шару, нанесеного роз­щепле­н­ням графіту на плівку діоксиду кремнію SiO₂, що покриває тонку пластинку Si. Спіл. зуси­л­лями дослідників Німеч­чини, Японії та США з викори­ста­н­ням високо­стабільного сканувал. ту­нел. мікро­скопа створ. молекуляр. транзистор, сформований на під­кладці InAs молекулою фталоціаніну, оточеною 12-ма атомами індію, які служать затвором транзистора, що може керувати пере­міще­н­ням електронів по одному. Принцип формува­н­ня молекуляр. транзисторів — знизу вверх, збіркою одиноч. атомів. Це забезпечує високу точність процесу, що зробить такі транзистори дуже надійними, не­зважаючи на їх маленькі роз­міри.

Медичні нанотехнології. Цей новий між­дисциплінар. напрям пере­буває нині на стадії становлен­ня, а його методи активно створюють і апробують. Не­зважаючи на те, що значна їх кількість поки що існує тільки у ви­гляді проектів, більшість екс­пертів вважають, що саме цей напрям стане основним у 21 ст. Один із лідерів світ. медицини — Амер. нац. ін­ститут здоровʼя — зарахував наномедицину до пʼятірки найбільш пріоритет. галузей роз­витку медицини майбутнього. Осн. зав­да­н­нями наномедицини ви­значено раннє виявле­н­ня та усуне­н­ня ракових клітин; усуне­н­ня або заміна зі­псов. компонентів клітини за допомогою наномас­штаб. при­строїв; створе­н­ня засобів для адрес. до­ставки актив. фармакол. інгредієнтів. Чима­ло ві­домих аналітиків у галузі Н., оцінюючи роз­виток та просува­н­ня цих технологій на ринку, вважає, що поряд з обчислюв. технікою їх викори­ста­н­ня буде най­більш затребуваним саме в таких сферах людської діяльності, як фар­макологія і медицина.

Н. за­стосовують у найрізноманітніших сферах виробництва, в деяких найбільш сучас. наукоєм. галузях (компʼютерна техніка, матеріало­­знавство, біо­медицина) викорис­та­н­ня Н. до­зволяє вже в най­ближчому майбутньому сподіватися на результати, що повністю виправдають викори­стані затрати й прикладені зуси­л­ля. Напр., дуже реальним ви­глядає створе­н­ня надпотуж. компʼютерів, нових лікув. препаратів для боротьби з найбільш небезпеч. хворобами, зокрема засобів їх адрес. до­ставки до вражених органів, високоефектив. пере­творювачів соняч. енергії, надлегких і міцних матеріалів для авіації тощо.

Завантажити статтю