Нанотехнології — Енциклопедія Сучасної України

Нанотехнології

НАНОТЕХНОЛО́ГІЇ (від нано... та технологія). Нині не­має єдиного визначення чи стандарту щодо Н. Зважаючи на те, що розробки, які зазвичай належать до цього наук. напряму, мають у багатьох випадках міждисциплінар. характер, поєднуючи в собі особливості різних галузей науки і техніки, таку всеохоплювал. дефініцію буде складно зробити і в майбутньому. Згідно з пропозиціями International Orga­nization for Standardization (ISO), Н. варто вважати уміння керувати процесами в нанометр. мас­штабі в одному, двох чи трьох вимірах за умови, що введення в дію такого розмір. ефекту чи явища призводить до можливості нових практ. застосувань, а також використання властивостей об'єк­тів та матеріалів у нанометр. мас­штабі. Вони відрізняються як від ознак вільних атомів або молекул, так від об'єм. властивостей речовини, що складається з цих атомів або молекул, для створен­ня досконаліших матеріалів, при­ладів, систем, що реалізують ці властивості.

Історія власне Н. нараховує понад 30 р., починаючи від 1986, коли після виходу в світ відомої книги амер. вченого Е. Дрекслера – «Engines of Creation: The Co­ming Era of Nanotechnology» («Ма­шини творення: Ера нанотехнологій, що гряде») термін «нанотехнологія» набув широкого вжит­ку. Вважають, що геніал. наук. про­роцтвом появи ниніш. Н. ста­ли тепер уже знамениті слова видат. амер. фізика-теоретика, лауреата Нобелів. премії Р. Фейн­мана, виголошені ним у грудні 1959 на щоріч. засіданні Амер. фіз. т-ва у доповіді-лекції («There is plenty of room at the bottom: an invitation to enter a new field of phy­sics» / «Внизу багато місця: Запро­шення увійти в нову область фізики»), в якій він уперше передбачив можливість використання атомів як звичай. буд. матеріалу, зазначивши, що жоден фіз. чи хім. закон не перешкоджає нам змінювати взаємне розташування атомів і що в майбутньому можна буде маніпулювати окремими атомами, як предметами. Це перегукується з розумінням Н. дир. Ін-ту нанотехнологій США Ч. Мір­кіним, який вважає, що «нанотех­нології перебудують усі матеріали заново. Всі матеріали, отримані за допомогою молекулярного ви­робництва, будуть новими, ос­кіль­ки до цього часу в людства не було можливості розробляти й виготовляти наноструктури. Нині ми використовуємо в промисловос­ті тільки те, що нам дає природа. З дерева ми робимо дошки, з про­відного матеріалу – дроти. Нано­технологічний підхід полягає в тому, що ми будемо переробляти практично будь-які природні ресурси у так звані “будівельні блоки”, які становитимуть основу май­бутньої технології». На практиці Н. як одна з провід. галузей сучас. науки й вироб-ва сформувалися в остан. чв. 20 ст. з появою сучас. зонд. мікроскопів – сканувал. тунельного та атом. силового – і відтоді стрімко розвивають­ся. Сканувал. зонд. мікроскопи використовують для вивчення поверхні матеріалів на атом. рівні. Їхній осн. робочий елемент – загострена голка-зонд, що від­сте­жує й записує найдрібніші змі­ни властивостей поверхні об'єк­та, яку досліджують, що дозволяє з високим розділенням отримати її тривимірне зображення, топо­графію. Першим прототипом ска­нувал. зонд. мікроскопа був скану­вал. тунел. мікроскоп, створ. 1981 співроб. компанії ІВМ нім. (Ґ. Біннінґ) та швейцар. (Г. Рорер) фізиками (Нобелів. премія, 1986). Цей винахід значно розширив поле для Н., надавши можливість не лише ві­зуалізувати окремі атоми, а й ма­ніпулювати ними, переміщувати в потріб. напрямах на необхідні від­стані, що на практиці вперше було підтверджено 1989, коли з ви­користанням 35 атомів інерт. газу ксенону, точно розміщених на поверхні кристала нікелю, була за­писана назва фірми IBM. Атомно-­силовий мікроскоп, винайдений через 5 р., доповнив можливості сканувал. зонд. мікроскопа дослі­джувати рельєф поверхні з розділ. здатністю аж до атом. рівня на непровідні об'єкти.

Нанотехнології 2D структур. Н. – це наступний, логіч. крок роз­витку електроніки та ін. наукоєм. галузей. Н., що широко використовують для потреб електроніки, це, насамперед, технології формування 2D структур – квантово-розмір. шарів та їх композицій. Зна­ковими представниками цих технологій є молекулярно-промен. епі­таксія (МПЕ) та газофазна епі­таксія з металоорган. сполук і гід­ридів (МОС гідридна епітаксія). МПЕ є одним із різновидів газофаз. епітаксії, придатним для нарощування тонких шарів будь-яких матеріалів – напівпровідників, металів чи діелектриків. Матеріал для росту епітаксій. шару в методі МПЕ доставляють на по­верхню підкладки за рахунок молекуляр. або атомар. пучків хім. елементів, які створюють терміч. способом за допомогою ефузій. комірок Кнудсена. Ріст кристаліч. шару при МПЕ відбувається на чистій поверхні за повністю кон­трольов. умов надвисокого вакууму. Принципи МПЕ формувалися поступово. 1964 за допомогою мо­лекуляр. пучків були отримані до­сконалі плівки сірчаного свинцю PbS на монокристаліч. підкладці кам'яної солі NaCl. Через 4 р. з молекуляр. пучків в умовах високого вакууму були вирощені епітаксійні плівки GaAs на монокристаліч. підкладках арсеніду галію. Розвиток МПЕ в її ниніш. розумінні розпочався в 1970-і рр. зі створенням і пром. вироб-вом відповід. вакуум. устаткування. Найважливішими відмінностями МПЕ від ін. методик нарощування тонких шарів у вакуумі, що існу­вали до неї, є незрівнянно вищий рівень контролю потоків речовини, що подаються на підкладку, і високий рівень контролю умов конденсації та властивостей нарощуваних тонких плівок безпосередньо в процесі епітаксії. Як технол. метод вирощування тонких епітаксій. шарів різних матеріалів МПЕ характеризують незначні (порядку 1 мкм/год.) швид­кості росту плівок; відносно низь­кі т-ри росту плівки; можливість різко переривати й поновлювати ріст плівки за рахунок використання мех. заслінок побл. джерел потоків усіх компонентів; можливість керувати концентрацією домішок за допомогою введення в зруч. спосіб додатк. джерел, що створюють необхідні молекулярні пучки; можливість аналізу хім. складу плівки безпосередньо під час росту. Перераховані позитивні риси методу МПЕ дають змогу створювати за його допомогою придатні для приклад. застосувань епітаксійні структури на ос­нові елементар. напівпровідників, їх хім. сполук і твердих розчинів та дозволяють вирішувати такі най­важливіші задачі, як отримання монокристаліч. шарів високої чистоти – за рахунок росту в надвисокому вакуумі та високої чистоти вихід. потоків речовини; вирощування надтонких структур із різкими змінами складу на границях – за рахунок відносно невисоких т-р росту, що перешкоджають взаєм. дифузії; отримання гладких бездефект. поверхонь для гетероепітаксії – за рахунок механізму росту сходинками, що унеможливлює утворення зарод­ків; отримання надтонких шарів із контрольов. товщиною – за рахунок точності керування потоками і відносно малих швидкостей росту; створення структур зі склад. профілями складу і (або) легування; створення структур із заданими внутр. напругами розтягу чи стиску, що можуть знімати виродження енергет. спектра в потріб. точках зони Бріллюена, локально модифікуючи зонну структуру, тобто вирішувати задачі т. зв. зонної інженерії. Визначал. ознакою МОС гідрид. епітаксії як одного з різновидів газофаз. епітаксії є використання в технол. процесі вирощування тонких шарів як джерел елементів росту металоорган. сполук та гідридів. Гідриди – це сполуки різних елементів із воднем, а термін «металоорганіка» об'єднує широкий клас речовин, що містять зв'язки метал-карбон (т. зв. металоорган. сполуки) або зв'яз­ки метал-карбон-кисень (т. зв. алк­оксиди). Для транспортування цих реагентів у зону росту плівки використовується газ-носій, який по­винен бути чистим і не вступати в реакцію з підкладкою та плівкою, що росте. Нині в ролі такого носія в установках МОС гідрид. епітаксії використовують переважно водень як найчистіший із газів, які дає змо­гу отримувати сучасна пром-сть. Метод МОС гідрид. епітаксії бере свій початок від 1968, коли вперше було показано, що, розкладаючи газову суміш триметилгалію Ga(CH3)3 і гідриду миш'яку AsH3 в атмосфері водню H2 за т-ри 600–700 °С, можна вирощувати тонкі епітаксійні плівки GaAs у відкритому реакторі проточ. типу. Фіз. принцип МОС гідрид. епітаксії полягає в наступному. За допомогою водню, який продувається через реактор для росту тонких епі­таксій. шарів, де розміщені підкладки, до останніх подають чітко визначені кількості (потоки) ме­та­лоорган. і гідрид. сполук необхід. елементів. Підкладка нагрівається до т-ри, за якої металоорганіка та гідриди діляться на складові, тобто відбувається піроліз. У зоні піролізу виокремлюються необхідні для росту епітаксій. шару елементи, що, взаємодіючи з підкладкою та між собою, спричиня­ють ріст плівки на поверхні підкладки. Металоорган. сполуки, які становлять інтерес для вирощування напівпровідник. структур, за кімнат. т-ри здебільшого є рідинами, хоча деякі з них знаходяться у твердому стані. Ці речовини мають переважно високі тис­ки парів і легко можуть бути доставлені в зону реакції пропусканням газу-носія через рідину або над поверхнею твердого тіла, що відіграють роль джерела металоорганіки. Гідриди, які використовують для росту напівпровідник. структур, за кімнат. т-ри є газами, їх застосовують переважно як невеликі добавки до H2. Нанотехнології 1D і 0D структур. Поєднуючи можливості МПЕ і МОС гідрид. епітаксії нарощувати квантово-розмірні епітаксійні шари з різним ступенем узгодження шару та підкладки за параметром кристаліч. ґратки, формують наноструктури наступ. низькорозмір. генерацій – 1D структури (квант. нитки) і 0D структури (квант. точки). Якщо узгодження параметрів добре, спочатку на підкладку нарощують досконалий квантово-розмір. епітаксій. шар, а потім розділяють його на квант. нитки або точки, застосовуючи нанолітографію. Найчастіше використовують EUV-літографію (Extre­me Ultra Violet lithography) – літографію в спектрі жорсткого ультрафіолету, що забезпечує роздільну здатність краще 70 нм, сканувал. електронну та лазерну інтер­ференц. літографію. Інтерферен­цією 2-х лазер. променів отри­мують одновимірно упорядк. масиви паралел. квант. ниток, суперпозицією 3-х або 4-х лазер. променів – упорядк. ансамблі квант. точок із трикут. і квадрат. симетрією відповідно. Для того, щоб знизити концентрацію дефектів під час виготовлення масивів квант. ниток і точок, використовують ефекти самоорганізації. У випадку квант. ниток самоорганізацію реалізують, використовуючи як підкладку пластину з віцинальною (слабо нахиленою до однієї з осн. кристалогр. площин) поверхнею. При нанесенні на віцинальну поверхню невеликої кількості матеріалу, що добре узгоджується з підкладкою за параметром кристаліч. ґратки, він, відповідно до принципу мінімуму поверхн. енергії системи, формує на підкладці не плоский епітаксій. шар, що повторює поверхню підкладки, а хвилясту, профільов. періодичну структуру, «підніжжя» уступів якої в подальшому використовують для нарощування масиву квант. ниток. Для реалізації формування масивів квант. точок із використанням ефекту самоорганізації, навпаки, як поверхню підкладки використовують одну з осн. кристалогр. площин, але за поганої збіжності параметрів ґратки підкладки й матеріалу, що осаджується. Тоді гетероепітаксій. ріст на підкладці ре­алізується відповідно до режиму Странського–Крастанова та завершується, при правил. дотриманні режимів осадження, формуванням досконалого масиву наноструктур типу квант. точок.

Зондові нанотехнології. Новіт. на­прям технології формування квант. точок, що нині розвивається, – це т. зв. зонд. Н., формування нанометр. об'єктів за допомогою зонда сканувал. тунел. мікроскопа чи кантилевера атомно-силового мік­роскопа. Зонд. Н. можна означити як певну послідовність способів та прийомів позиціонування, формування й модифікації елементів нанометр. розмірів, зокрема окремих атомів та молекул, на поверхні підкладок із допомогою зонда-наконечника, при цьому маючи можливість одночасної їх візуалізації й контролю. Є всі підстави вважати, що в майбутньому зонд. технології використовуватимуть для збирання унікал. наноелектрон. схем чи створення терабіт. пристроїв пам'яті.

Нанотехнології нанорозмірних алотропних модифікацій карбону. Ін. важливий напрям Н. – технології створення нанорозмір. алотроп. модифікацій карбону: фу­леренів, карбонових нанотрубок і графену. Фулеренами називають карбон. багатоатомні молекули із заг. формулою Cn (n – парне число), в яких атоми карбону розміщуються на поверхні випуклого замкненого каркас. багатогранника сферич. або сфероїдал. типу. Вони володіють різною стабільністю, а отже, і різними перспективами практ. використання. Найбільш стабільним є фулерен С60, що має форму зрізаного ікоса­едра – фігури, обмеженої 20-ма шестикутниками та 12-ма п'яти­кутниками. Кожен із шестикутників С60 межує із 3-ма п'яти­кут­никами і 3-ма шестикутниками. П'ятикутники безпосередньо між собою не контактують, кожен із них межує лише із шестикутниками. На поверхні сфери у вершинах зрізаного ікосаедра атоми молекули С60 займають абсолютно еквівалентні позиції, мають по 3 найближчих сусіди, утворюють із ними два одинарні С–С та один подвій­ний С=С зв'язки. У п'ятикут­никах хім. зв'язки між атомами карбону одинарні, у шестикутниках – почергово одинарні та по­двій­ні. Радіус молекули С60 згідно з даними рентґеноструктур. аналізу становить 0,357 нм. Для одержання фулеренів у кількостях, достатніх для вивчення їхніх властивостей та практ. застосування, вирішують чотириєдину задачу забезпечення: умов створення і конденсації пари карбону, за яких у продуктах конденсації утворювалися б каркасні структури багатоатом. карбон. молекул; ефектив. взаємодії між карбон. молекулами для збагачення продуктів конденсації пари карбону стабіл. фулеренами, насамперед фулереном С60; ефектив. екстракції фулеренів із продуктів конденсації карбон. пари; сепарування екстрагов. фулеренів Cn на фракції з різними значеннями масового числа n. Замкнені карбон. каркасні наноструктури отримують випаровуванням графіту, синтезом у полум'ї електр. дуги, спалюванням вуглеводнів. Для збагачення продуктів синтезу найбільш стабільним фулереном С60 використовують їх розчинення в неполяр. розчинниках при високих (900 К) т-рах. Найефективніші методики екстракції та сепарування фулеренів базуються на використанні ароматич. розчинників і сорбентів. Сепарація фулеренів за їх масовими числами ґрунтується на принципах рідин. хроматографії. Карбонові нанотрубки – квазіоднови­мірні багатоатомні одно- або багатошарові карбон. циліндричні молекули з відкритими чи закритими кінцями, діаметр яких коливається в межах від частки до декількох нанометрів, а довжина є знач­но більшою за діаметр і може ко­ливатися від десятків-сотень нанометрів до десятків мікрометрів. Зовн. діаметр багатошар. нанотрубок – у межах 2,5–100 нм, одношарових – 0,6–2,4 нм, хоча діаметр найтоншої трубки, що асоціюється з найменшим із можливих фулеренів С20, дорівнює прибл. 0,4 нм. Нанотрубки можна розглядати як гранич. випадок молекул фулеренів, довжина поздовж. осі яких значно переважає їхній діаметр. Карбон. нанотрубки утворюються при високих т-рах у результаті специф. хім. перетворень широкого спектра матеріалів, що містять карбон. Типовими й найбільш поширеними методами вирощування карбон. нанотрубок є розпорошення графіту в полум'ї електр. дуги; розпорошення графіту під впливом лазер. випромінювання; каталітич. розклад вуглеводнів. Ефектив. шляхом подальшого розвитку технології отримання карбон. нанотрубок із заданими характеристиками є застосування каталізаторів. Найбільші сподівання щодо технології створення карбон. нанотрубок, яка в майбутньому могла б мати навіть пром. перспективи, пов'язують із технологією реакцій термохім. розкладу карбоновміс. сполук, що протікають на поверх­ні метал. каталізаторів, нанесених на підкладку – піролітич. розкладу вуглеводнів у присутності каталізатора. Вона дозволяє безпосередньо синтезувати ізольовані й відносно чисті одностінні карбон. нанотрубки. Для отримання нанотрубок необхідно також вирішувати задачі їх відділення від наночастинок метал. каталізаторів та окислів; відділення нанотрубок однієї від іншої, а також від ін. карбон. компонентів продуктів синтезу; розділення нанотрубок за розмірами. Графен – це кристалічна одношарова 2D карбон. структура, атоми якої формують плоску гексагонал. ґратку, притаманну моноатом. шару графіту. Можливості синтезу й існування 2D структур ускладнюються фундам. обмежен­нями, які накладають теплові флук­туації, що зростають із підвищенням т-ри. Щоб оминути цю проб­лему, 2D структури синтезують при високих т-рах, як складові частини 3D структур, із подальшим їх виділенням із цих структур при низькій т-рі. Флуктуації, що мали б сильно зростати за високих т-р, гасяться в процесі такого синтезу завдяки взаємодії із 3D матрицею. Виділення ж 2D кристалів відбувається при низьких т-рах, за яких флуктуації суттєво приглушені. Найпростіша реалізація методу високотемператур. синтезу масив. кристалів і низькотемператур. виокремлення з них 2D шарів у застосуванні до графену полягає у використанні графіт. стержнів і розшаруванні їх на індивід. площини моноатом. товщини. На цьому базується принцип широко­вживаної техніки формування шарів графену, яку зазвичай називають технікою мікромех. сколювання, або скотч-методом. Ін. спо­сіб розшарування графіту на окремі графен. шари базується на використанні поверхн.-актив. орган. рідин, оброблення графіту якими призводить до проникнення атомів чи молекул різної природи в проміжки між його шарами. Відстань між шарами збільшується, сили зв'язку між ними слабнуть, у результаті чого розшарування графіту шляхом мех. впливу полегшується. Графен може бути синтезований також методом хім. осадження пари на придатну підкладку, яка, крім основи для осадження, відігравала б роль каталізатора. Таким каталізатором може бути, напр., нікель, мідь чи ін. метали. Цим методом можна синтезувати зразки моношарів графену попереч. розмірів порядку 1 см, що в десятки й сотні разів більше, ніж розміри аналог. зразків, отримуваних ін. методами. Як й інші поверхн. структури карбону – фулерени й нанотрубки, графен може бути отриманий за допомогою дугового розряду між графіт. стержнями в атмосфері інерт. газу, а також шляхом терміч. розкладу карбіду кремнію, в результаті якого графен. плівка епітаксійно наростає на поверхні кристала SiC. Нанотехнології у виготовленні транзисторів. Відповідні технології розвиваються, насамперед, у напрямі мініатюризації транзисторів для задоволення потреб обчислювальної техніки. Нині транзистори виготовляють за технологією 90 нм. Уже заплановано й реалізують мініатюризацію електрон. компонентів до 60, 45 і 30 нм. Сучасні межі мініатюризації – функціонал. одноелектронні транзистори. Одноелектрон. транзистор працює на основі явища кулонів. блокади. Переміщення електронів у такому транзисторі відбувається шляхом тунелювання. Час тунелювання електрона малий, відповідно швидкодія одноелектрон. транзистора дуже висока, за оцінками – сотні терагерц. Робота, необхідна для переміщення одного електрона, також мала, а отже, малим є й енерго­споживання одноелектрон. пристроїв – за оцінками 3∙10-8 Вт. Одноелектрон. транзистор може знаходитися у двох станах – або в ста­ні кулонів. блокади, або в провід. стані. Це дозволяє розробляти на його основі пристрої, що можуть служити комірками комп'ютер. пам'яті. Вже створ. одноелектронні транзистори на основі графену. Ідея базується на тому, що графен. наноструктури є стабільними до дійсно нанометр. розмірів, аж до окремо взятого гексагонал. кільця. Ще одна перевага графену для формування електр. схем на одноелектрон. транзисторах полягає в тому, що всі важливі їх складові, зокрема квант. точки, провідні канали, квант. бар'єри й міжелементні з'єднання, можуть виготовляти, використовуючи лише графен. шар. Структуру формують за допомогою електрон. літографії та сухого травлення з графен. шару, нанесеного розщепленням графіту на плівку діоксиду кремнію SiO2, що покриває тонку пластинку Si. Спіл. зусиллями дослідників Німеччини, Японії та США з використанням високостабільного сканувал. ту­нел. мікроскопа створ. молекуляр. транзистор, сформований на підкладці InAs молекулою фталоціаніну, оточеною 12-ма атомами індію, які служать затвором транзистора, що може керувати переміщенням електронів по одному. Принцип формування молекуляр. транзисторів – знизу вверх, збіркою одиноч. атомів. Це забезпечує високу точність процесу, що зробить такі транзистори дуже надійними, незважаючи на їх маленькі розміри.

Медичні нанотехнології. Цей новий міждисциплінар. напрям перебуває нині на стадії становлен­ня, а його методи активно створюють і апробують. Не зважаючи на те, що значна їх кількість поки що існує тільки у вигляді проектів, більшість експертів вважають, що саме цей напрям стане основним у 21 ст. Один із лідерів світ. медицини – Амер. нац. ін-т здоров'я – зарахував наномедицину до п'ятірки найбільш пріоритет. галузей розвитку медицини майбутнього. Осн. завданнями наномедицини визначено раннє виявлення та усунення ракових клітин; усунення або заміна зіпсов. компонентів клітини за допомогою наномасштаб. пристроїв; створення засобів для адрес. доставки актив. фармакол. інгредієнтів. Чима­ло відомих аналітиків у галузі Н., оцінюючи розвиток та просування цих технологій на ринку, вважає, що поряд з обчислюв. технікою їх використання буде най­більш затребуваним саме в таких сферах людської діяльності, як фар­макологія і медицина.

Н. застосовують у найрізноманітніших сферах вироб-ва, в деяких найбільш сучас. наукоєм. галузях (комп'ютерна техніка, матеріало­знавство, біомедицина) викорис­тання Н. дозволяє вже в найближчому майбутньому сподіватися на результати, що повністю виправдають використані затрати й прикладені зусилля. Напр., дуже реальним виглядає створення надпотуж. комп'ютерів, нових лікув. препаратів для боротьби з найбільш небезпеч. хворобами, зокрема засобів їх адрес. доставки до вражених органів, високоефектив. перетворювачів соняч. енергії, надлегких і міцних матеріалів для авіації тощо.

Літ.: A. Y. Cho, J. R. Arthur. Molecular beam epitaxy // Progress in Solid State Che­mistry. 1975. Vol. 10, Issue 3; Molecular beam epitaxy and Heterostructures. Dord­recht; Boston; Lancaster, 1985; S. Iijima. He­lical microtubules of graphitic carbon // Na­tu­re. 1991. Vol. 354; T. W. Ebbesen, P. M. Aja­yan, H. Hiura, K. Tanigaki. Purification of na­no­tubes // Там само. 1994. Vol. 367; Леденцов Н. Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: по­лучение, свойства, лазеры // ФТП. 1998. Т. 32; Смолли Р. Е. Нобелевская лекция: Открывая фуллерены / Пер. с англ. // УФН. 1998. Т. 168; Керл Р. Ф. Нобелевская лекция: Истоки открытия фуллеренов: экс­перимент и гипотеза / Пер. с англ. // Там само; Крото Г. Нобелевская лекция: Симметрия, космос, звезды и С60 / Пер. с англ. // Там само; E. E. B. Campbell, F. Roh­mund. Fullerene reactions // Rep. Prog. Phys. 2000. Vol. 63; P. Moriarty. Nanostruc­tured Materials // Там само. 2001. Vol. 64; Ch. P. Poole, Jr. and F. J. Owens. Introduc­tion to nanotechnology. New York, 2003; Шпак А. П., Куницький Ю. А., Коротченков О. О., Смик С. Ю. Квантові низькорозмірні системи. К., 2003; J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures // Rev. Mod. Phys. 2004. Vol. 76; M. Burghard, K. Balasubramanian. Chemically Functiona­lized Carbon Nanotubes // Small. 2005. Vol. 1; A. A. Tseng, A. Notagriacomo, T. P. Chen. Nanofabrication by scanning probe micro­scope lithography: A review // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. Vol. 23; K. Jain Kewal. Nanotechnology in clinical laboratory diag­nostics // Clinica Chimica Acta. 2005. Vol. 358; Заячук Д. М. Низькорозмірні структури і надґратки. Л., 2006; L. A. Ponomarenko et al. Chaotic Dirac Billiard in Graphene Quantum Dots // Science. 2008. Vol. 320; Заячук Д. М. Нанотехнології і наноструктури: Навч. посіб. Л., 2009; K. S. Novoselov. Nobel Lecture: Graphene: Materials in the Flatland // Rev. Modern Phys. 2011. Vol. 83; A. K. Geim. Nobel Lecture: Random walk to graphene // Там само; Чекман І. С., Ульберг З. Р., Маланчук В. О. та ін. Нанонаука, нанобіологія, нанофармація. К., 2012; N. Mishra et al. Targeted Drug Delivery: A Review // Am. J. Pharm. Tech. Research. 2016. Vol. 6(1); Yu-­Chen Wang et al. Synthetic Methodologies to Gold Nanoshells: An Overview // Mo­le­cules. 2018. Vol. 23.

Д. М. Заячук

Статтю оновлено: 2020

Покликання на статтю
Д. М. Заячук . Нанотехнології // Енциклопедія Сучасної України: електронна версія [веб-сайт] / гол. редкол.: І.М. Дзюба, А.І. Жуковський, М.Г. Железняк та ін.; НАН України, НТШ. Київ: Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2020. URL: https://esu.com.ua/search_articles.php?id=71296 (дата звернення: 25.10.2021)