Нєізвєстний Ігор Георгійович
НЄІЗВЄ́СТНИЙ Ігор Георгійович (26. 11. 1931, Одеса) — фізик. Внук О. Орлова. Доктор фізико-математичних наук (1980), професор (1983), член-кореспондент РАН (1990). Державна премія РФ (1995). Закін. Моск. енергет. інститут (1956). Відтоді працював у Фіз. інституті АН СРСР (Москва); від 1962 — в Інституті фізики напівпровідників РАН (м. Новосибірськ, РФ): 1962–73 та 1980–2004 — заступник директора з наукової роботи, 1973–80 — зав. лаб. фізики і технології германієвих МДН-структур, від 2004 — завідувач відділу тонкоплівк. структур для мікро- і фотоелектроніки; водночас від 1983 — професор кафедри напівпровідник. приладів і мікроелектроніки Новосибір. тех. університету; від 2004 — радник РАН. Наукові дослідження у галузі фізики напівпровідників та фіз. основ напівпровідник. приладів, фіз. процесів на межі розподілу напівпровідник-діелектрик, компʼютер. моделювання формування тонких поверхн. шарів, квант. криптографії, поверхн.-барʼєр. біосенсорів.
Додаткові відомості
- Основні праці
- Одноэлектроника. Ч. 1: Применение одноэлектронных приборов // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, вып. 1; Наноэлектроника. Ч. 1: Введение в наноэлектронику. Москва, 2009; Изучение процесса формирования нанокластеров кремния при отжиге SiOX-слоев с помощью моделирования // Автометрия. 2011. Т. 47, № 5; Влияние монооксида кремния на процесс формирования кремниевых нанокластеров (моделирование методом Монте-Карло) // ФТТ. 2014. Т. 48, вып. 7; Матричные фотонные приемники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра // УФН. 2015. Т. 185, № 10 (співавт.); Specific temperature-related features of photoconductivity relaxation in PbSnTe: In films under interband excitation // Semiconductors. 2016. Vol. 50, issue 4; Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation // Computational Materials Science. 2018. Vol. 141 (усі — співавт.).
Людина 