Калабухова Катерина Миколаївна
КАЛА́БУХОВА Катерина Миколаївна (20. 11. 1947, Тбілісі) – фізик. Дочка М. Калабухова. Доктор фізико-математичних наук (2005). Закін. Київ. політех. інститут (1971). Від 1975 працює в Інституті фізики напівпровідників НАНУ (Київ): від 2006 – провідний науковий співробітник Досліджує монокристал., аморфні та нанорозмірні напівпровідник. матеріали за допомогою методів високорозділ. та імпульс. радіоспектроскопії; розробляє імпульсне мікрохвильове обладнання для спектрометрів магніт. резонансу.
Пр.: Intrinsic defects in SiC nanoparticles as studied by pulsed electron paramagnetic resonance // Solid State Communications. 2008. Vol. 146, № 1–2; Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния // ФТТ. 2009. T. 51, № 4; Spin-сoupling and hyperfine interaction of the nitrogen donors in 6H–SiC // Physica Status Solidi B. 2009. Vol. 246, № 8; The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 88, № 15 (усі – співавт.).
Є. Ф. Венгер
Основні праці
Intrinsic defects in SiC nanoparticles as studied by pulsed electron paramagnetic resonance // Solid State Communications. 2008. Vol. 146, № 1–2; Кинетика поведения фоточувствительных примесей и дефектов в особо чистом полуизолирующем карбиде кремния // ФТТ. 2009. T. 51, № 4; Spin-сoupling and hyperfine interaction of the nitrogen donors in 6H–SiC // Physica Status Solidi B. 2009. Vol. 246, № 8; The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 88, № 15 (усі – співавт.).
Людина 
