Литовченко Петро Григорович
ЛИТО́ВЧЕНКО Петро Григорович (03. 03. 1937, Київ) — фахівець у галузі радіаційної фізики напівпровідників. Брат В. Литовченка. Доктор фізико-математичних наук (1983), професор (1988). Закін. Київський університет (1959). Працював 1959–70 в Інституті фізики АН УРСР; від 1970 — в Інституті ядер. дослідж. НАНУ (обидва — Київ): від 1978 — завідувач відділу радіац. фізики, водночас 2006–11 — заступник директора з наукової роботи. Наукові дослідження: радіац. ефекти у напівпровідниках; фізика напівпровідник. детекторів і спектроскопія ядер. випромінювань; властивості особливо чистих напівпровідників (кремній, германій та бінарні сполуки).
Пр.: P-channel MOS-sensor for measurement of emergency gamma and neutron radiation // Radiation Protection Dosimetry. 1996. Vol. 66, № 1–4; Оптичні і структурні дослідження протонноопроміненого кремнію // УФЖ. 2003. Т. 48, вип. 3; Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutron // Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. Vol. 7, № 1; Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію. К., 2006; Вплив опромінення та відпалу на термічну стабільність радіаційних дефектів у кремнії // Вопр. атом. науки и техники. 2010. № 5 (усі — співавт.).
В. П. Тартачник
Додаткові відомості
- Основні праці
- P-channel MOS-sensor for measurement of emergency gamma and neutron radiation // Radiation Protection Dosimetry. 1996. Vol. 66, № 1–4; Оптичні і структурні дослідження протонноопроміненого кремнію // УФЖ. 2003. Т. 48, вип. 3; Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutron // Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Optoelectronics. 2004. Vol. 7, № 1; Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію. К., 2006; Вплив опромінення та відпалу на термічну стабільність радіаційних дефектів у кремнії // Вопр. атом. науки и техники. 2010. № 5 (усі — співавт.).
Завантажити статтю
