Литовченко Петро Григорович

ЛИТО́ВЧЕНКО Петро Григорович (03. 03. 1937, Київ) – фахівець у галузі радіаційної фізики напівпровідників. Брат В. Литовченка. Доктор фізико-математичних наук (1983), професор (1988). Закін. Київський університет (1959). Працював 1959–70 в Інституті фізики АН УРСР; від 1970 – в Інституті ядер. дослідж. НАНУ (обидва – Київ): від 1978 – завідувач відділу радіац. фізики, вод­ночас 2006–11 – заступник директора з наукової роботи. Наукові дослідження: радіац. ефек­ти у напівпровідниках; фізика напівпровідник. детекторів і спектроскопія ядер. випромінювань; властивості особливо чистих напівпровідників (кремній, германій та бінарні сполуки).

Пр.: P-channel MOS-sensor for measu­rement of emergency gamma and neutron radiation // Radiation Protection Dosimetry. 1996. Vol. 66, № 1–4; Оптичні і структурні дослідження протонноопроміненого кремнію // УФЖ. 2003. Т. 48, вип. 3; Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutron // Semiconductor Phy­sics. Quantum Electronics & Optoelec­tronics. 2004. Vol. 7, № 1; Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію. К., 2006; Вплив опро­мінення та відпалу на термічну стабіль­ність радіаційних дефектів у кремнії // Вопр. атом. науки и техники. 2010. № 5 (усі – спів­авт.).

В. П. Тартачник

Основні праці

P-channel MOS-sensor for measu­rement of emergency gamma and neutron radiation // Radiation Protection Dosimetry. 1996. Vol. 66, № 1–4; Оптичні і структурні дослідження протонноопроміненого кремнію // УФЖ. 2003. Т. 48, вип. 3; Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutron // Semiconductor Phy­sics. Quantum Electronics & Optoelec­tronics. 2004. Vol. 7, № 1; Ефекти радіації в інфрачервоному поглинанні та структурі кремнію. К., 2006; Вплив опро­мінення та відпалу на термічну стабіль­ність радіаційних дефектів у кремнії // Вопр. атом. науки и техники. 2010. № 5 (усі – спів­авт.).

завантажити статтю