Крайчинський Анатолій Миколайович

КРАЙЧИ́НСЬКИЙ Анатолій Миколайович (12. 04. 1937, с. Бернашівка Яришів., нині Могилів-Поділ. р-ну Вінн. обл.) – фізик. Доктор фізико-математичних наук (1994), професор (2006). Закін. Київський університет (1965). Відтоді працював в Інституті напівпровідників АН УРСР; від 1968 – в Інституті фізики НАНУ (обидва – Київ): від 1997 – в. о. завідувача відділу фізики радіац. процесів, від 2000 – провідний науковий співробітник Досліджує радіац. та терм. ефекти і дефек­ти у напівпровідниках, зокрема в монокристал. германії та крем­нії.

Пр.: Солітонний стан міжвузлового атома // Доп. АН УРСР. Сер. А. 1984. № 5; Образование радиационных дефектов в кремнии в диапазоне температур 10–300 К при электронном облу­чении // ФТП. 1993. Т. 27, № 10; Поро­гова енергія утворення радіаційних де­фектів в кремнії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 10; Small angle light scattering and clusters of thermal donor in Si // J. Applied Physics. 2004. Vol. 96, № 12; Вплив інтенсивнос­ті електронного опромінення на утворення і відпал VO-центрів у кремнії при високих температурах // УФЖ. 2010. Т. 55, № 7 (усі – спів­авт.).

В. С. Манжара

Основні праці

Солітонний стан міжвузлового атома // Доп. АН УРСР. Сер. А. 1984. № 5; Образование радиационных дефектов в кремнии в диапазоне температур 10–300 К при электронном облу­чении // ФТП. 1993. Т. 27, № 10; Поро­гова енергія утворення радіаційних де­фектів в кремнії // УФЖ. 1997. Т. 42, № 10; Small angle light scattering and clusters of thermal donor in Si // J. Applied Physics. 2004. Vol. 96, № 12; Вплив інтенсивнос­ті електронного опромінення на утворення і відпал VO-центрів у кремнії при високих температурах // УФЖ. 2010. Т. 55, № 7 (усі – спів­авт.).

завантажити статтю