Алфьоров Жорес Іванович

Визначення і загальна характеристика

АЛФЬО́РОВ Жорес Іванович (15. 03. 1930, м. Вітебськ, Білорусія — 01. 03. 2019, С.-Петербург) — фізик. Академік РАН (1979), іноз. чл. НАНУ (2000). Ленін. премія (1972), Державна премія СРСР, медаль Бал­лантайна Ін­ституту ім. Б. Франкліна (США), премія Хьюлета-Пак­карда Європ. фіз. товариства, Нобелівська премія з фізики (2000). Орден князя Ярослава Мудрого 5-го ступ. (2003). Закін. Ленінгр. електротех. ін­ститут (1952). Від­тоді працював у Фіз.-тех. ін­ституті РАН; від 1987 — директор цього ін­ституту, а від 1990 — віце-президент РАН. Голова Президії С.-Петербур. наук. центру РАН. Дослідж. у галузі фізики напів­провід­ників, напів­провід­никової і квант. електроніки, фізики і технології напів­провід­ник. приладів. З його участю створ. перші в СРСР транзистори і фотодіоди, потужні германієві діоди. А. роз­робив метод створе­н­ня напів­провід­ник. гетеро­структур, які від­крили шлях до керованого конструюва­н­ня зон­ної структури твердих тіл. Цей метод привів до роз­робки першого поколі­н­ня нано­електрон. приладів. 1999 А. став одним з ініціаторів формува­н­ня рос.-укр. про­грами досліджень у галузі нанофізики і нано­електроніки.

Пр.: Физика и жизнь. С.-Петербург, 2000.

Літ.: Физики.

Д. Т. Таращенко

Завантажити статтю